High-performance, reliable, 730-nm-emitting Al-free active region diode lasers

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 20, 1998, Pages 2869-2871

  Al Muhanna, A ^a   Wade, J K ^a   Earles, T ^a   Lopez, J ^a   Mawst, L J ^a  

^a UNIVERSITY OF WISCONSIN MADISON   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; QUANTUM EFFICIENCY; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR LASERS; SUBSTRATES;

ACTIVE REGION; INTERNAL LOSS; TRANSVERSE SPOT SIZE;

QUANTUM WELL LASERS;

EID: 0032538724     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122613     Document Type: Article

References (12)

1. R. Schatz and C. G. Bethea, J. Appl. Phys. 76, 2509 (1994).
2. D. Z. Garbuzov, J. H. Abeles, N. A. Morris, P. D. Gardner, A. R. Triano, M. G. Harvey, D. B. Gilbert, and J. C. Connolly, Proc. SPIE 2682, 20 (1996).
3. K. Shigihara, Y. Nagai, S. Karakida, A. Takami, Y. Kokubo, H. Matsubara, and S. Kakimoto, IEEE J. Quantum Electron. QE-27, 1537 (1991).
4. M. A. Emanuel, J. A. Skidmore, M. Jansen, and R. Nabiev, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 1451 (1997).
5. J. K. Wade, L. J. Mawst, D. Botez, and J. A. Morris, Electron. Lett. 34, 1100 (1998).
6. P. W. Mcilory, A. Kurobe, and Y. Uematsu, IEEE J. Quantum Electron. QE-21, 1958 (1985).
7. S. A. Wood, D. J. Someford, P. M. Smowton, C. C. Button, and P. Blood, CLEO Tech. Dig. Ser. 6, 286 (1998).
8. A. Al-Muhanna, J. K. Wade, L. J. Mawst, and R. J. Fu, Appl. Phys. Lett. 72, 641 (1998).
9. S. McKenan, C. B. Carter, D. P. Bour, and J. R. Shealy, J. Mater. Res. 3, 406 (1988).
10. D. P. Bour, R. S. Geels, D. W. Treat, T. L. Paoli, F. Ponce, R. L. Thornton, B. S. Krusor, R. D. Bringans, and D. F. Welch, IEEE J. Quantum Electron. QE-30, 593 (1994).
11. A. Bhattacharya, L. J. Mawst, S. Nayak, J. Li, and T. F. Keuch, Appl. Phys. Lett. 68, 2240 (1996).
12. J. K. Wade, L. J. Mawst, D. Botez, R. F. Nabiev, M. Jansen, and J. A. Morris, Appl. Phys. Lett. 72, 4 (1998).