Simulations and experiments of 3C-SiC/Si heteroepitaxial growth

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 202, Issue 1, 1997, Pages 405-420

  Kitabatake, M ^a  

^a PANASONIC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0031530670     PISSN: 03701972     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5     Document Type: Article

References (37)

1. R. F. DAVIS, G. KELNER, M. SHUR, J. W. PALMOUR, and J. A. EDMOND, Proc. IEEE 79, 677 (1991).
2. R. F. DAVIS, Thin Solid Films 181, 1 (1989).
3. Y. M. TAIROV and Y. A. VODAKOV, Topics Appl. Phys. 17, 31 (1977).
4. E. O. JOHNSON, RCA Rev. 26, 163 (1965).
5. R. W. KEYES, Proc. IEEE 60, 225 (1972).
6. B. J. BALIGA, IEEE Electron Device Lett. 10, 455 (1989).
7. M. BHATNAGAR and B. J. BALIGA, IEEE Trans. Electron Devices 40, 645 (1993).
8. P. DAS and D. K. FERRY, Solid State Electronics 19, 851 (1976).
9. K. NISHINO, T. KIMOTO, and H. MATSUNAMI, Mem. Fac. Engng. Kyoto Univ. 54, 299 (1992).
10. S. NISHINO, J. A. POWELL, and H. A. WILL, Appl. Phys. Lett. 42, 460 (1983).
11. M. KITABATAKE, M. DEGUCHI, and T. HIRAO, J. Appl. Phys. 74, 4438 (1993).
12. T. YOSHINOBU, H. MITSUI, Y. TARUI, T. FUYUKI, and H. MATSUNAMI, J. Appl. Phys. 72, 2006 (1992).
13. P. PIROUZ, C. M. CHOREY, and J. A. POWELL, Appl. Phys. Lett. 50, 221 (1987).
14. C. H. CARTER, JR., R. F. DAVIS, and S. R. NUTT, J. Mater. Res. 1, 811 (1987).
15. K. SHIBAHARA, S. NISHINO, and H. MATSUNAMI, J. Cryst. Growth 78, 538 (1986).
16. P. DESJARDINS and J. E. GREENE, J. Appl. Phys. 79, 1423 (1996).
17. K. SHIBAHARA, S. NISHINO, and H. MATSUNAMI, Appl. Phys. Lett. 50, 1888 (1987).
18. H. S. KONG, Y. C. WANG, J. T. GLASS, and R. F. DAVIS, J. Mater. Res. 3, 521 (1988).
19. C. CHANG, N. ZHENG, I. S. T. TSONG, Y. WANG, and R. F. DAVIS, J. Amer. Ceram. Soc. 73, 3264 (1990).
20. T. YOSHINOBU, I. IZUMIKAWA, H. MITSUI, Y. TARUI, T. FUYUKI, and H. MATSUNAMI, Appl. Phys. Lett. 59, 2844 (1991).
21. S. HARA, S. MISAWA, S. YOSHIDA, and T. AOYAGI, Phys. Rev. B 50, 4548 (1994).
22. M. DAYAN, J. Vacuum Sci. Technol. A 3, 361 (1985).
23. M. DAYAN, J. Vacuum Sci. Technol. A 4, 38 (1986).
24. M. KITABATAKE and J. E. GREENE, Appl. Phys. Lett. 69, 2048 (1996).
25. M. KITABATAKE and J. E. GREENE, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 5261 (1996).
26. M. KITABATAKE, P. FONS, and J. E. GREENE, J. Vacuum Sci. Technol. A 8, 3726 (1990).
27. M. KITABATAKE, P. FONS, and J. E. GREENE, J. Vacuum Sci. Technol. A 9, 91 (1991).
28. M. KITABATAKE and J. E. GREENE, J. Appl. Phys. 73, 3183 (1993).
29. M. KITABATAKE and J. E. GREENE, Thin Solid Films 272, 271 (1996).
30. J. TERSOFF, Phys. Rev. B 38, 9902 (1988).
31. J. TERSOFF, Phys. Rev. B 39, 5566 (1989).
32. C. J. MOGAB and H. J. LEAMY, J. Appl. Phys. 45, 1075 (1974).
33. G. XUE, H. Z. XIAO, M.-A. HASAN, J. E. GREENE, and H. K. BIRNBAUM, J. Appl. Phys. 74, 2512 (1993).
34. O. L. ALERHAND, A. N. BERKER, J. D. JOHANNOPOULOS, D. VANDERBILT, R. J. HAMERS, and J. E. DEMUTH, Phys. Rev. Lett. 64, 2406 (1990).
35. E. PEHKLE and J. TERSOFF, Phys. Rev. Lett. 67, 1290 (1991).
36. G. W. WAGNER, B. NA, and M. A. VANNICE, J. Phys. Chem. 93, 5061 (1983).
37. H. NAGASAWA, Y. YAMAGUCHI, T. IZUMI, and K. TONOSAKI, Appl. Surf. Sci. 70/71, 542 (1993).