Evidence for ferroelectric border traps near the SrBi2Ta2O9/Si interface through capacitance-voltage measurement

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 4, 2000, Pages 564-566

  Li, W P ^a   Zhang, R ^a   Shen, J ^a   Liu, Y M ^a   Shen, B ^a   Chen, P ^a   Zhou, Y G ^a   Li, J ^a   Yuan, X L ^a   Chen, Z Z ^a   Shi, Y ^a   Liu, Z G ^a   Zheng, Y D ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0010353535     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.127045     Document Type: Article

References (15)

1. S. Y. Wu, IEEE Trans. Electron Devices ED-21, 499 (1973).
2. S. Y. Wu, Ferroelectrics 11, 379 (1976).
3. T. A. Rost, H. Lin, and T. A. Rabson, Appl. Phys. Lett. 59, 3654 (1991).
4. S. Matthew, R. Ramesh, T. Venkatesan, and J. Benedetto, Science 276, 238 (1997).
5. H. Buhay, S. Sinharoy, W. H. Kasner, M. H. Francombe, D. R. Lampe, and E. Stepke, Appl. Phys. Lett. 58, 1470 (1991).
6. D. M. Fleetwood, M. R. Shaneyfelt, W. L. Wrren, J. R. Schwank, T. L. Meisenheimer, and P. S. Winokur, Microelectron. Reliab. 35, 403 (1995).
7. M. D. Ploor, R. D. Schrimpf, K. F. Galloway, and G. H. Johnson, Appl. Phys. Lett. 67, 691 (1995).
8. M. J. Uren, S. Collins, and M. J. Dimaria, J. Appl. Phys. 54, 1448 (1989).
9. Y. P. Wang, T. Zhu, Y. X. Zhang, and Z. G. Liu (unpublished).
10. D. R. Lampe, D. A. Adams, M. Austin, M. Polnski, S. Sinhaoy, H. Buhay, P. Brabant, and Y. M. Liu, Ferroelectrics 133, 62 (1992).
11. X. B. Chen, F. Yan, C. H. Li, Z. G. Zhang, J. S. Zhu, and Y. N. Wang, Appl. Phys, Lett. 76, 369 (2000).
12. P. K. Larsen, G. L. M. Kampschoer, M. J. E. Ulenaer, G. A. C. M. Spierings, and R. Cuppens, Appl. Phys. Lett. 59, 611 (1991).
13. K. Sugibuchi, Y. Kurogi, and N. Endo, J. Appl. Phys. 46, 2877 (1975).
14. J.-p. Han and T. P. Ma, Appl. Phys. Lett. 72, 1185 (1998).
15. P. J. McWhorter, S. L. Miller, and W. M. Miller, IEEE Trans. Nucl. Sci. 37, 1682 (1990).