Pd/Ge/Ti/Au ohmic contact to AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor with an undoped cap layer

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 18, 1997, Pages 2656-2658

  Kim, Yi Tae ^a   Lee, Jong Lam ^a   Mun, Jae Kyoung ^b   Kim, Haecheon ^b  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^b Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0009957979     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120169     Document Type: Article

References (12)

1. J.-L. Lee, J. K. Mun, H. Kim, J. J. Lee, and H. M. Park, IEEE Trans. Electron Devices 43, 519 (1996).
2. Y. C. Shih, M. Murakami, E. L. Wilkie, and A. C. Callerari, J. Appl. Phys. , (1989).
3. J.-L. Lee, H. Kim, J. K. Mun, H. G. Lee, and H. M. Park, IEEE Electron Device Lett. 15, 324 (1994).
4. E. D. Marshall, B. Zhang, L. C. Wang, P. F. Jiao, W. X. Chen, T. Sawada, K. L. Kavanagh, and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 62, 942 (1987).
5. E. D. Mashall, W. X. Chen, C. S. Wu, S. S. Lau, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 47, 298 (1989).
6. T. Ehara, N. Shibata, H. Ohta, T. Nukui, and T. Kazuno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 3, 3051 (1995).
7. L. R. Zheng, S. A. Wilson, D. J. Lawrence, S. I. Rudolph, S. Chen, and G. Braunstein, Appl. Phys. Lett. 60, 877 (1992).
8. L. R. Zheng, D. J. Lawrence, and T. N. Blanton, J. Mater. Res. 8, 1045 (1993).
9. L. C. Wang, S. S. Lau, E. K. Hsieh, and J. R. Velebir, Appl. Phys. Lett. 54, 2677 (1989).
10. J. S. Kwak, H. N. Kim, H. K. Baik, J.-L. Lee, H. Kim, H. M. Park, and S. K. Noh, Appl. Phys. Lett. 67, 2465 (1995).
11. J.-L. Lee, D. Kim, S. J. Maeng, H. H. Park, J. Y. Kang, and Y. T. Lee, J. Appl. Phys. 73, 3539 (1993).
12. J. S. Kwak, H. N. Kim, H. K. Baik, J.-L. Lee, D. W. Shin, C. G. Park, H. Kim, and K.-E. Pyun, J. Appl. Phys. 80, 3904 (1996).