Simulation of boron, phosphorus, and arsenic diffusion in silicon based on an integrated diffusion model, and the anomalous phosphorus diffusion mechanism

Journal of Applied Physics

Volumn 82, Issue 5, 1997, Pages 2228-2246

  Uematsu, Masashi ^a  

^a NTT CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0007511933     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366030     Document Type: Article

References (58)

1. D. Mathiot and J. C. Pfister, J. Appl. Phys. 55, 3518 (1984).
2. F. F. Morehead and R. F. Lever, Appl. Phys. Lett. 48, 151 (1986).
3. B. J. Mulvaney and W. B. Richardson, Appl. Phys. Lett. 51, 1439 (1987).
4. D. Mathiot and S. Martin, J. Appl. Phys. 70, 3071 (1991).
5. M. Hane and H. Matsumoto, IEEE Trans. Electron Devices ED-40, 1215 (1993).
6. B. Baccus, E. Vandenbossche, and M. Lannoo, J. Appl. Phys. 77, 5630 (1995).
7. A. Höfler, Th. Feudel, N. Strecker, W. Fichtner, K.-H. Stegemann, H. Syhre, and G. Dallmann, J. Appl. Phys. 78, 3671 (1995).
8. R. B. Fair and J. C. C. Tsai, J. Electrochem. Soc. 124, 1107 (1977).
9. S. M. Hu, P. Fahey, and R. W. Dutton, J. Appl. Phys. 54, 6912 (1983).
10. M. Orlowski, Appl. Phys. Lett. 53, 1323 (1988).
11. F. F. Morehead and R. F. Lever, J. Appl. Phys. 66, 5349 (1989).
12. M. Budil, H. Pötzl, G. Stingeder, M. Grasserbauer, and K. Goser, Mater. Sci. Forum 38-41, 719 (1989).
13. B. J. Mulvaney and W. B. Richardson, J. Appl. Phys. 67, 3197 (1990).
14. S. T. Dunham, J. Electrochem. Soc. 139, 2628 (1992).
15. K. Ghaderi and G. Hobler, J. Electrochem. Soc. 142, 1654 (1995).
16. M. Yoshida, E. Arai, H. Nakamura, and Y. Terunuma, J. Appl. Phys. 45, 1498 (1974).
17. M. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys. 18, 479 (1979).
18. M. Yoshida and E. Arai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 5891 (1995).
19. B. J. Masters and J. M. Fairfield, J. Appl. Phys. 40, 2390 (1969).
20. R. B. Fair and G. R. Weber, J. Appl. Phys. 44, 273 (1973).
21. J. Murota, E. Arai, K. Kobayashi, and K. Kudo, Jpn. J. Appl. Phys. 17, 457 (1978).
22. J. Murota, E. Arai, K. Kobayashi, and K. Kudo, J. Appl. Phys. 50, 804 (1979).
23. M. Y. Tsai, F. F. Morehead, J. E. E. Baglin, and A. E. Michel, J. Appl. Phys. 51, 3230 (1980).
24. B. Baccus, T. Wada, N. Shigyo, M. Norishima, H. Nakajima, K. Inou, T. Iinuma, and H. Iwai, IEEE Trans. Electron Devices ED-39, 648 (1992).
25. M. Yoshida and E. Arai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 44 (1996).
26. U. Gösele, in Microelectronic Materials and Processes, edited by R. A. Levy (Kluwer Academic, Norwell, MA, 1989), p. 583.
27. U. Gösele, W. Frank, and A. Seeger, Appl. Phys. 23, 361 (1980).
28. U. Gösele and F. Morehead, J. Appl. Phys. 52, 4617 (1981).
29. F. C. Frank and D. Turnbull, Phys. Rev. 104, 617 (1956).
30. N. E. B. Cowern, J. Appl. Phys. 64, 4484 (1988).
31. H. G. Robinson, M. D. Deal, G. Amaratunga, P. B. Griffin, D. A. Stevenson, and J. D. Plummer, J. Appl. Phys. 71, 2615 (1992).
32. S. Yu, T. Y. Tan, and U. Gösele, J. Appl. Phys. 70, 4827 (1991).
33. S. Mizuo, T. Kusaka, A. Shintani, M. Nanba, and H. Higuchi, J. Appl. Phys. 54, 3860 (1983).
34. P. Fahey, G. Barbuscia, M. Moslehi, and R. W. Dutton, Appl. Phys. Lett. 46, 784 (1985).
35. T. Y. Tan and U. Gösele, Appl. Phys. A 37, 1 (1985).
36. W. Frank, U. Gösele, H. Mehrer, and A. Seeger, in Diffusion in Crystalline Solids, edited by G. E. Murch and A. S. Nowick (Academic, New York, 1984), p. 63.
37. M. Miyake, J. Appl. Phys. 57, 1861 (1985).
38. R. B. Fair, J. Electrochem. Soc. 122, 800 (1975).
39. U. Gösele, Annu. Rev. Mater. Sci. 18, 257 (1988).
40. R. B. Fair, J. Electrochem. Soc. 137, 667 (1990).
41. W. Shockley and J. T. Last, Phys. Rev. 107, 392 (1957).
42. W. Jüngling, P. Pichler, S. Selberherr, E. Guerrero, and H. W. Pötzel, IEEE Trans. Electron Devices ED-32, 156 (1985).
43. W. A. Orr Arienzo, R. Glang, R. F. Lever, R. K. Lewis, and F. F. Morehead, J. Appl. Phys. 63, 116 (1988).
44. S. Yu, T. Y. Tan, and U. Gösele, J. Appl. Phys. 69, 3547 (1991).
45. M. Uematsu, K. Wada, and U. Gösele, Appl. Phys. A 55, 301 (1992).
46. M. Uematsu, P. Werner, M. Schultz, T. Y. Tan, and U. Gösele, Appl. Phys. Lett. 67, 2863 (1995).
47. P. Fahey, Ph.D. thesis, Stanford University, 1985.
48. J. S. Makris and B. J. Masters, J. Electrochem. Soc. 120, 1252 (1973).
49. M. D. Giles, IEEE Trans. Comput.-Aided Des. CAD-8, 460 (1989).
50. T. Y. Tan, U. Gösele, and S. Yu, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 17, 47 (1991).
51. S. Matsumoto, M. Yoshida, and T. Niimi, Jpn. J. Appl. Phys. 13, 1899 (1974).
52. S. Matsumoto and T. Niimi, Jpn. J. Appl. Phys. 15, 2077 (1976).
53. R. N. Ghoshtagore, Solid-State Electron. 17, 1065 (1974).
54. A. Parisini, A. Bourret, A. Armigliato, M. Servidori, S. Solmi, R. Fabbri, J. R. Regnard, and J. L. Allain, J. Appl. Phys. 67, 2320 (1990).
55. R. Angelucci, G. Celotti, D. Nobili, and S. Solmi, J. Electrochem. Soc. 132, 2726 (1985).
56. A. Herrera-Gómez, P. M. Rousseau, G. Materlik, T. Kendelewicz, J. C. Woicik, P. B. Griffin, J. D. Plummer, and W. E. Spicer, Appl. Phys. Lett. 68, 3090 (1996).
57. D. W. Lawther, U. Myler, P. J. Simpson, P. M. Rousseau, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, Appl. Phys. Lett. 67, 3575 (1995).
58. S. Luning, P. M. Rousseau, P. B. Griffin, P. G. Carey, and J. D. Plummer, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., San Francisco, CA (1992), p. 457.