In-plane uniaxial stress effects of AlGaAs/GaAs modulation doped heterostructures characterized by the transmission line method

Journal of Applied Physics

Volumn 84, Issue 7, 1998, Pages 3741-3746

  Fung, A K ^a   Albrecht, J D ^a   Nathan, M I ^a   Ruden, P P ^a   Shtrikman, H ^b  

^a University of Minnesota   (United States)

^b WEIZMANN INSTITUTE OF SCIENCE   (Israel)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0006167671     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.368552     Document Type: Article

References (34)

1. J. F. Nye, Physical Properties of Crystals (Oxford University Press, Oxford, 1985).
2. G. Arlt and P. Quadflieg, Phys. Status Solidi 25, 323 (1968).
3. D. L. Smith, Solid State Commun. 57, 919 (1986).
4. C. Mailhiot and D. L. Smith, Phys. Rev. B 35, 1242 (1987).
5. D. L. Smith and C. Mailhiot, Phys. Rev. Lett. 58, 1264 (1987).
6. D. L. Smith and C. Mailhiot, J. Appl. Phys. 63, 2717 (1988).
7. B. K. Launch, K. Elcess, C. G. Fonstad, J. G. Beery, C. Mailhiot, and D. L. Smith, Phys. Rev. Lett. 62, 649 (1989).
8. E. A. Caridi, T. Y. Chang, K. W. Goossen, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 56, 659 (1990).
9. F. H. Pollak and H. Quiang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 101 (1992).
10. M. Ilg, A. Heberle, and K. Ploog, Solid-State Electron. 37, 739 (1994).
11. T. F. Kuech, R. T. Collins, D. L. Smith, and C. Mailhiot, J. Appl. Phys. 67, 2650 (1990).
12. E. S. Snow, B. V. Shanabrook, and D. Gammon, Appl. Phys. Lett. 56, 758 (1990).
13. X. Li, K. Longenbach, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 60, 1513 (1992).
14. S. S. Lu and C. L. Huang, Electron. Lett. 30, 823 (1994).
15. K. Chung, Z. Wang, J. C. Costa, F. Williamson, P. P. Ruden, and M. I. Nathan, Appl. Phys. Lett. 59, 1191 (1991).
16. S. S. Lu, K. R. Lee, K. H. Lee, and M. I. Nathan, J. Appl. Phys. 67, 6360 (1990).
17. S. S. Lu, M. I. Nathan, and C. C. Meng, J. Appl. Phys. 69, 525 (1991).
18. S. S. Lu, C. C. Meng, F. Williamson, and M. I. Nathan, L. Appl. Phys. 69, 8241 (1991).
19. L. Cong, J. D. Albrecht, M. I. Nathan, P. P. Ruden, and D. L. Smith, Appl. Phys. Lett. 66, 1358 (1995).
20. J. D. Albrecht, L. Cong, P. P. Ruden, M. I. Nathan, and D. L. Smith, J. Appl. Phys. 79, 7763 (1996).
21. L. Cong, J. D. Albrecht, M. I. Nathan, and P. P. Ruden, J. Appl. Phys. 79, 7770 (1996).
22. L. Cong, J. D. Albrecht, D. Cohen, F. Williamson, P. P. Ruden, and M. I. Nathan, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 924 (1996).
23. J. Ramirez, P. J. McNally, L. S. Cooper, J. J. Rosenberg, L. B. Freund, and T. N. Jackson, IEEE Trans. Electron Devices ED-35, 1232 (1988).
24. A. K. Fung, L. Cong, J. D. Albrecht, M. I. Nathan, P. P. Ruden, and H. Shtrikman, J. Appl. Phys. 81, 502 (1996).
25. I. Aller, C. Lang, G. Schweeger, H. L. Hartnagel, R. Dolt, and G. Hohenberg, Appl. Phys. Lett. 69, 403 (1996).
26. R. G. Beck, M. A. Eriksson, R. M. Westervelt, K. L. Campman, and A. C. Gossard, Appl. Phys. Lett. 68, 3763 (1996).
27. R. G. Beck, M. A. Eriksson, M. A. Topinka, R. M. Westervelt, K. D. Maranowski, and A. C. Gossard, Appl. Phys. Lett, (in press).
28. D. C. Look, Electrical Characterization of GaAs Materials and Devices (Wiley, New York, 1989).
29. S. Adachi, J. Appl. Phys. 58, R1 (1985).
30. P. M. Asbeck, C. Lee, and M. F. Chang, IEEE Trans. Electron Devices 31, 1377 (1984).
31. E. Y. Chang, G. T. Cibuzar, and K. P. Pande, IEEE Trans. Electron Devices ED-35, 1412 (1988).
32. J. D. Albrecht, A. K. Fung, P. P. Ruden, and M. I. Nathan (unpublished).
33. K. Hübner, Phys. Status Solidi B 57, 627 (1973).
34. P. Lorenzini, J. M. Dusseau, J. L. Robert, V. Mosser, and S. Contreras, Sens. Actuators A 33, 53 (1992).