Electrical properties of heavily carbon-doped GaAs epilayers grown by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition using CBr4

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 35, Issue 12 SUPPL. B, 1996, Pages 6562-6565

  Son, Chang Sik ^a,b   Kim, Seong Il ^a   Min, Byung Don ^a   Kim, Yong ^a   Kim, Eun Kyu ^a   Min, Suk Ki ^a   Choi, In Hoon ^b  

^a Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

^b Korea University   (South Korea)

Author keywords

2 off (100) GaAs; Atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition; Carbon incorporation; Carbon tetrabromide; Electrical property; Hall analysis

Indexed keywords

EID: 0004796717     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.35.6562     Document Type: Article

References (31)

1. S. I. Kim, Y. Kim, M. S. Lee, M. S. Kim, S. K. Min and C. Lee: Solid State Commun. 88 (1993) 743.
2. S. I. Kim, Y. Kim, M. S. Kim, S. K. Min and C. Lee: J. Appl. Phys. 74 (1993) 6128.
3. S. I. Kim, K. S. Eom, Y. Kim, M. S. Kim, S. K. Min, C. Lee, M. H. Kwak and D.S. Ma: J. Cryst. Growth 126 (1993) 441.
4. T. F. Kuech and J. M. Redwing: J. Cryst. Growth 145 (1994) 382.
5. Y. M. Houng, S. D. Lester, D. E. Mars and J. N. Miller: J. Vac. Sci. & Technol. B 11 (1993) 915.
6. R. Driad, F. Alexandre, J. L. Benchimol, B. Jusserand, B. Sermage, M. Juhel and P. Launay: J. Cryst. Growth 158 (1996) 210.
7. S. I. Kim, Y. Kim, M. S. Kim, C. K. Kim, S. K. Min and C. Lee: J. Cryst. Growth 141 (1994) 324.
8. S. I. Kim, C. S. Son, M. S. Lee, Y. Kim, M. S. Kim and S. K. Min: Solid State Commun. 93 (1995) 939.
9. C. S. Son, S. I. Kim, Y. Kim, M. S. Lee, M. S. Kim, S. K. Min and I. H. Choi: J. Cryst. Growth 165 (1996) 222.
10. B. T. Cunningham, M. A. Hasse, M. J. McCollum, J. E. Baker and G. E. Stillman: Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 1905.
11. R. J. Malik, R. N. Nottenburg, E. F. Schubert, J. F. Walker and R. W. Ryan: Appl. Phys. Lett. 53 (1989) 2661.
12. H. Ito and T. Ishibashi: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L944.
13. C. W. Tu, B. W. Liang and T. P. Chin: J. Cryst. Growth 136 (1994) 191.
14. N. Y. Li, H. K. Dong, C. W. Tu and M. Geva: J. Cryst. Growth 150 (1995) 246.
15. N. I. Buchan, T. F. Kuech, G. Scilla and F. Cardone: J. Cryst. Growth 110 (1991) 405.
16. T. J. de Lyon, N. I. Buchan, P. D. Kirchner, J. M. Woodall, G. J. Scilla and F. Cardone: Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 517.
17. K. Zhang, W. Y. Hwang, D. L. Miller and L. W. Kapitan: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 2399.
18. R. A. Hamm, S. Chandrasekhar, L. Lunardi and M. Geva: J. Cryst. Growth 148 (1995) 1.
19. S. A. Stockman, A.W. Hanson and G. E. Stillman: Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 2903.
20. L. W. Yang, P. D. Wright, V. Eu, Z. H. Lu and A. Majerfeld: J. Appl. Phys. 72 (1992) 2063.
21. P. Kurpas, E. Richter, D. Gutsche, F. Brunner and M. Weyers: Proc. 22nd Int. Symp. Compound Semiconductors, Cheju Island, Korea, eds. J.C. Woo and Y.S. Park (IOP, Bristol, 1995) Inst. Phys. Conf. Ser. No. 145, p. 177.
22. D. H. Reep and S. K. Ghandhi: J. Electrochem. Soc. 130 (1983) 675.
23. Q. Liu, A. Brennemann, H. Hardtdegen, A. Lindner, W. Prost and F. J. Tegude: J. Appl. Phys. 79 (1996) 710.
24. G. E. Höfler and K. C. Hsieh: Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 327.
25. N. Ohnishi, Y. Makita, H. Asakura, T. Iida, S. I. Uekusa and T. Matsumori: Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 1527.
26. R. A. Hamm, S. Chandrasekhar, L. Lunardi and M. Gerva: J. Cryst. Growth 148 (1995) 1.
27. Y. M. Houng, S. D. Lester, D. E. Mars and J. N. Miller: J. Vac. Sci. Technol. B 11 (1993) 915.
28. T. B. Joyce, S. P. Westwater, P. J. Goodhew and R. E. Pritchard: J. Cryst. Growth 164 (1996) 371.
29. M. Masi, H. Simka, K. F. Jensen, T. F. Kuech and R. Potemski: J. Cryst. Growth 124 (1992) 483.
30. B. Lee, S. S. Bose, M. H. Kim, A. D. Reed, G. E. Stillman, W. I. Wang and L. Vina: J. Cryst. Growth 96 (1989) 27.
31. M. Kondo, C. Anayama, N. Okada, H. Sekiguchi, K. Domen and T. Tanahashi: J. Appl. Phys. 76 (1994) 914.