InGaN/GaN multi-quantum well distributed Bragg reflector laser diode

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 12, 2000, Pages 1489-1491

  Cho, Jaehee ^a   Cho, S ^a   Kim, B J ^a   Chae, S ^a   Sone, C ^a   Nam, O H ^a   Lee, J W ^a   Park, Y ^a   Kim, T I ^a  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001733162     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126072     Document Type: Article

References (8)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 1477 (1996).
3. D. Wood, Optoelectronic Semiconductor Devices, 1st ed. (Prentice Hall, UK, 1994).
4. R. Hofmann, H.-P. Gauggel, U. A. Griesinger, H. Grabeldinger, F. Adler, P. Ernst, H. Bolay, V. Harle, F. Scholz, H. Schweizer, and M. H. Pilkuhn, Appl. Phys. Lett. 69, 2068 (1996).
5. D. Hofstetter, R. L. Thornton, L. T. Romano, D. P. Bour, M. Kneissl, and R. M. Donaldson, Appl. Phys. Lett. 73, 2158 (1998).
6. L. T. Romano, D. Hofstetter, M. D. McCluskey, D. P. Bour, and M. Kneissl, Appl. Phys. Lett. 73, 2706 (1998).
7. Y. Park, B. J. Kim, J. W. Lee, O. H. Nam, C. Sone, H. Park, Eunsoon Oh, H. Shin, S. Chae, J. Cho, Ig-Hyeon Kim, J. S. Khim, S. Cho, and T. I. Kim, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4, 1 (1999).
8. S. N. Mohammad, A. A. Salvador, and H. Morkoc, Proc. IEEE 83, 1306 (1995).