Low temperature chemical vapor deposition growth of β-SiC on (100) Si using methylsilane and device characteristics

Journal of Applied Physics

Volumn 82, Issue 9, 1997, Pages 4558-4565

  Liu, C W ^a   Sturm, J C ^b  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b Princeton University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001627677     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366192     Document Type: Article

References (32)

1. M. Bhatnagar, B. J. Baliga, H. R. Kirk, and G. A. Rozgonyi, IEEE Trans. Electron Devices 43, 150 (1996).
2. C. Schroder, W. Heiland, R. Held, and W. Loose, Appl. Phys. Lett. 68, 1957 (1996).
3. Y. M. Tairov and V. F. Tsvetkov, J. Cryst. Growth 52, 146 (1981).
4. P. Liaw and R. F. Davis, J. Electrochem. Soc. 132, 642 (1985).
5. S. Nishino, Y. Hazuki, H. Matsunami, and T. Tanaka, J. Electrochem. Soc. 127, 2674 (1980).
6. S. Nishino, J. A. Powell, and H. A. Will, Appl. Phys. Lett. 42, 460 (1983).
7. D. E. Ioannou, N. A. Papanicolaou, and P. E. Nordquitst, IEEE Trans. Electron Devices 34, 1694 (1987).
8. I. Golecki, F. Reidinger, and J. Marti, Appl. Phys. Lett. 60, 1703 (1992).
9. J. C. Sturm, P. V. Schwartz, E. J. Prinz, and H. Manoharan, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2011 (1991).
10. J. L. Regolini, D. Bensahel, J. Mercier, and E. Scheid, Appl. Phys. Lett. 54, 658 (1989).
11. J. P. Li, J. Steckl, I. Golecki, and F. Reidinger, Appl. Phys. Lett. 62, 3135 (1993).
12. Z. C. Feng, A. J. Mascarenhas, W. J. Choyke, and P. A. Powell, J. Appl. Phys. 64, 3176 (1988).
13. J. A. Freitas, S. G. Bishop, P. E. R. Nordquist, and M. L. Gipe, Appl. Phys. Lett. 52, 1695 (1988).
14. M. L. Yu, D. J. Vitkavage, and B. S. Meyerson, J. Appl. Phys. 59, 4032 (1986).
15. P. G. Neudeck, D. J. Larkin, J. E. Star, J. A. Powell, C. S. Salupo, and L. G. Matus, IEEE Electron Device Lett. 14, 136 (1993).
16. R. F. Davis, G. Keiner, M. Shur, J. Palmour, and J. A. Edmond, Proc. IEEE 79, 677 (1991).
17. H. J. Kim and R. F. Davis, J. Electrochem. Soc. 133, 2350 (1986).
18. N. A. Papanicolaou, A. Christou, and M. L. Gipe, J. Appl. Phys. 65, 3526 (1989).
19. M. Bhatnagar and B. J. Baliga, IEEE Trans. Electron Devices 40, 645 (1993).
20. S. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981), pp. 98 and 566.
21. A. Leycuras, Appl. Phys. Lett. 70, 1533 (1997).
22. V. M. Bermudes, J. Appl. Phys. 63, 4951 (1988).
23. T. K. Ning and D. D. Tang, Proc. IEEE 74, 1669 (1986).
24. S. Sze, High-Speed Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1990), p. 366.
25. T. Sugii, T. T. Ito, Y. Furumura, M. Doki, F. Mieno, and M. Maeda, IEEE Electron Device Lett. 9, 87 (1988).
26. Z. Matutinovic-Krstelj, E. J. Prinz, P. V. Schwartz, and J. C. Sturm, IEEE Electron Device Lett. 12, 163 (1991).
27. A. Schuppen, U. Erben, A. Gruhle, H. Kibbel, H. Schumacher, and U. Konig, Tech. Dig. Int. Electron. Device Meet. 743 (1995).
28. E. J. Prinz, P. M. Garone, P. V. Schwartz, X. Xiao, and J. C. Sturm, IEEE Electron Device Lett. 12, 42 (1991).
29. S. S. Lu, C. C. Wu, C. C. Huang, F. Williamson, and M. I. Nathan, Appl. Phys. Lett. 60, 2138 (1992).
30. H. R. Chen, C. P. Lee, C. Y. Chang, J. S. Tsang, and K. L. TSai, J. Appl. Phys. 74, 1398 (1993).
31. L. D. Lanzerotti, A. St. Amour, C. W. Liu, J. C. Sturm, J. K. Watanabe, and N. D. Theodore, IEEE Electron Device Lett. 17, 334 (1996).
32. Z. Matutinovic-Krstelj, V. Venkataraman, E. J. Prinz, and J. C. Sturm, IEEE Trans. Electron Devices 43, 457 (1996).