Electron reflection and interference in the GaAs/AlAs-Al Schottky collector resonant-tunneling diode

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 57, Issue 3, 1998, Pages 1847-1854

  North, A ^a   Linfield, E ^a   Simmons, M ^a   Ritchie, D ^a   Leadbeater, M ^a   Burroughes, J ^a   Foden, C ^a   Pepper, M ^a  

^a TOSHIBA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001550964     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.57.1847     Document Type: Article

References (25)

1. E. R. Brown, J. R. Soderstrom, C. D. Parker, L. J. Mahoney, K. M. Molvar, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 58, 2291 (1991).
2. E. R. Brown, C. D. Parker, and T. C. L. G. Sollner, Appl. Phys. Lett. 54, 935 (1989).
3. E. R. Brown, T. C. L. G. Sollner, C. D. Parker, W. D. Goodhue, and C. L. Chen, Appl. Phys. Lett. 55, 1777 (1989).
4. J. R. Soderstrom, E. R. Brown, C. D. Parker, L. J. Mahoney, J. Y. Yao, T. G. Andersson, and T. C. Mcgill, Appl. Phys. Lett. 58, 275 (1991).
5. Y. Konishi, S. T. Allen, M. Reddy, and M. J. W. Rodwell, Solid-State Electron. 36, 1673 (1993).
6. R. P. Smith, S. T. Allen, M. Reddy, S. C. Martin, J. Liu, R. E. Muller, and M. J. Rodwell, IEEE Electron Device Lett. 15, 295 (1994).
7. M. V. Weckworth, J. P. A. van der Wagt, and J. S. Harris, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1303 (1994).
8. T. Figielski, T. Wosinski, S. A. Vitusevich, A. E. Belyaev, A. Makosa, and W. Dobrowolski, Semicond. Sci. Technol. 12, 86 (1997).
9. M. Missous, E. H. Rhoderick, and K. E. Singer, J. Appl. Phys. 59, 3189 (1986).
10. I. Zailer, J. E. F. Frost, V. Chabasseur-Molyneux, C. J. B. Ford, and M. Pepper, Semicond. Sci. Technol. 11, 1235 (1996).
11. C. E. Timmering, J. M. Lagemaat, C. T. Foxon, and J. J. Harris, Semicond. Sci. Technol. 3, 1139 (1988).
12. P. Gavrilovic, J. M. Brown, R. W. Kaliski, N. Y. Holonyak Jr., K. Hess, M. J. Ludowise, W. T. Dietze, and C. R. Lewis, Solid State Commun. 52, 237 (1984).
13. R. Tsu and L. Esaki, Appl. Phys. Lett. 22, 562 (1973).
14. J. S. Blakemore, J. Appl. Phys. 53, 520 (1982).
15. J. Y. Duboz, P. A. Badoz, F. A. Davitava, and E. Rosencher, Phys. Rev. B 40, 10 607 (1989).
16. P. Pfeffer and W. Zawadzki, Phys. Rev. B 53, 12 813 (1996).
17. P. J. Price, Phys. Rev. B 38, 1994 (1988).
18. M. L. Leadbeater, L. Eaves, P. E. Simmonds, G. A. Toombs, F. W. Sheard, P. A. Claxton, G. Hill, and M. A. Pate, Solid-State Electron. 31, 707 (1988).
19. M. L. Leadbeater, E. S. Alves, L. Eaves, M. Henini, O. H. Hughes, A. Celeste, J. C. Portal, G. Hill, and M. A. Pate, Phys. Rev. B 39, 3438 (1989).
20. T. J. Foster, M. L. Leadbeater, L. Eaves, M. Henini, O. H. Hughes, C. A. Payling, F. W. Sheard, P. E. Simmonds, G. A. Toombs, G. Hill, and M. A. Pate, Phys. Rev. B 39, 6205 (1989).
21. T. W. Hickmott, Phys. Rev. B 32, 6531 (1985).
22. B. fen Zhu and K. Huang, Phys. Rev. B 48, 4575 (1993).
23. M. Büttiker, in Resonant Tunneling in Semiconductors, edited by L. L. Chang et. al (Plenum Press, New York, 1991), p. 213.
24. R. Ferreira and G. Bastard, Phys. Rev. B 40, 1074 (1989).
25. B. A. Mason and S. Das Sarma, Phys. Rev. B 35, 3890 (1987).