Capacitance-voltage profiling of Au/n-GaAs Schottky barrier structures containing a layer of self-organized InAs quantum dots

Semiconductors

Volumn 32, Issue 10, 1998, Pages 1096-1100

  Brunkov, P N ^a   Suvorova, A A ^a   Bert, N A ^a   Kovsh, A R ^a   Zhukov, A E ^a   Egorov, A Yu ^a   Ustinov, V M ^a   Tsatsul'nikov, A F ^a   Ledentsov, N N ^a   Kop'ev, P S ^a   Konnikov, S G ^a   Eaves, L ^b   Main, P S ^b  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^b UNIVERSITY OF NOTTINGHAM   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001324729     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187575     Document Type: Article

References (22)

1. N. N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bö hrer, D. Bimberg, V. M. Ustinov, V. A. Shchukin, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, S. S. Ruvimov, A. O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Goesele, and J. Heydenreich, Solid-State Electron. 40, 785 (1996).
2. N. Kristaedter, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V. M. Ustinov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Goesele, and J. Heyndenreich, Electron. Lett. 30, 1416 (1994).
3. Zh. I. Alferov, N. A. Bert, Yu. A. Egorov, P. S. Kop'ev, A. O. Kosogov, I. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, A. V. Lunev, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, Yu. M. Shemyakov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 351 (1996) [Semiconductors 30, 194 (1996)].
4. Zh. I. Alferov, N. A. Bert, Yu. A. Egorov, P. S. Kop'ev, A. O. Kosogov, I. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, A. V. Lunev, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, Yu. M. Shemyakov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 351 (1996) [Semiconductors 30, 194 (1996)].
5. K. Imamura, Y. Sugiyama, Y. Nakata, S. Muto, and N. Yokoyama, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1445 (1995).
6. G. Yusa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 70, 345 (1997).
7. I. E. Itskevich, T. Ihn, A. Tornton, M. Henini, T. J. Foster, P. Moriarty, A. Nogaret, P. H. Beton, L. Eaves, and P. C. Main, Phys. Rev. B 54, 16 401 (1996).
8. M. Narihiro, G. Yusa, Y. Nakamura, T. Noda, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 70, 105 (1997).
9. G. Medeiros-Ribeiro, D. Leonard, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 66, 1767 (1995).
10. S. Anand, N. Carlsson, M-E. Pistol, L. Samuelson, and W. Seifert, Appl. Phys. Lett. 67, 3016 (1995).
11. P. N. Brunkov, S. G. Konnikov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, V. M. Maximov, N. N. Ledentsov, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 924 (1996) [Semiconductors 30, 492 (1996)].
12. P. N. Brunkov, S. G. Konnikov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, V. M. Maximov, N. N. Ledentsov, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 924 (1996) [Semiconductors 30, 492 (1996)].
13. P. N. Brounkov, N. N. Faleev, Yu. G. Misikhin, A. A. Suvorova, A. F. Tsatsul'nikov, V. M. Maximov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, and S. G. Konnikov, in The Physics of Semiconductors (World Scientific, Singapore, 1996), p. 1361.
14. P. N. Brounkov, N. N. Faleev, Yu. G. Musikhin, A. A. Suvorova, A. F. Tsatsul'nikov, V. M. Maximov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, and S. G. Konnikov, Inst. Phys. Conf. Ser. 155 (IOP, Bristol, 1997), p. 841.
15. F. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, V. M. Maximov, and V. M. Ustinov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 1439 (1994) [Semiconductors 28, 809 (1994)].
16. F. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, V. M. Maximov, and V. M. Ustinov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 1439 (1994) [Semiconductors 28, 809 (1994)].
17. G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., Phys. Rev. Lett. 76, 952 (1996).
18. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, V. M. Maximov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Bert, A. O. Kosogov, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1682 (1996) [Semiconductors 30, 879 (1996)].
19. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, V. M. Maximov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Bert, A. O. Kosogov, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1682 (1996) [Semiconductors 30, 879 (1996)].
20. P. N. Brounkov, T. Benyattou, and G. Guillot, J. Appl. Phys. 80, 864 (1996).
21. I. E. Itskevich, M. Henini, H. A. Carmona, L. Eaves, P. C. Main, D. K. Maude, and J. C. Portal, Appl. Phys. Lett. 70, 505 (1997).
22. P. N. Brounkov, A. A. Suvorova, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, S. G. Konnikov, T. Ihn, S. T. Stoddart, L. Eaves, and P. C. Main, Physica B (1998) (to be published).