Structural and optical characterization of InP grown on Si(111) by metalorganic vapor phase epitaxy using thermal cycle growth

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 9, 1996, Pages 4997-5005

  Ababou, Y ^a   Desjardins, P ^a   Chennouf, A ^a   Leonelli, R ^a   Hetherington, D ^b   Yelon, A ^a   L'Esperance G ^a   Masut, R A ^a  

^a ÉCOLE POLYTECHNIQUE DE MONTRÉAL   (Canada)

^b CEGEP Vanier College   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001246834     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.363544     Document Type: Article

References (30)

1. M. Tachikawa, T. Yamada, T. Sasaki, and H. Mori, The 189th Conference of The Electrochemical Society, Meeting Abstracts Vol. 96-1, Los Angeles, CA, May, 1996, Abstr. No. 425, p. 565.
2. M. K. Lee, D. S. Wuu, and R. H. Horng, Appl. Phys. Lett. 62, 1140 (1993).
3. A. Krost, F. Heinrichsdorff, D. Bimberg, and H. Cerva, Appl. Phys. Lett. 64, 769 (1994).
4. Y. Ababou, R. A. Masut, A. Yelon, and S. Poulin, Appl. Phys. Lett. 66, 3352 (1995).
5. M. Razeghi, The MOCVD Challenge (Adam Hilger, Bristol, 1989), Chap. 6.
6. N. Chand, R. People, F. A. Baiocchi, K. W. Wecht, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 49, 815 (1986).
7. J. W. Lee, H. Shichijo, H. L. Tsai, and R. J. Matyi, Appl. Phys. Lett. 50, 31 (1987).
8. M. Yamaguchi, A. Yamamoto, M. Tachikawa, Y. Itoh, and M. Sugo, Appl. Phys. Lett. 53, 2293 (1988).
9. C. A. Tran, R. A. Masut, P. Cova, J. L. Brebner, and R. Leonelli, J. Cryst. Growth 121, 365 (1992).
10. A. Freundlich, J. C. Grenet, G. Neu, A. Leycuras, and C. Verié, Appl. Phys. Lett. 52, 1976 (1998).
11. Y. Chen, A. Freundlich, H. Kamada, and G. Neu, Appl. Phys. Lett. 54, 45 (1989).
12. K Wilke, B. Budnick, M. H. Ludwig, and G. Heymann, J. Appl. Phys. 77, 653 (1995).
13. W. I. Wang, E. E. Mendez, T. S. Kuan, and L. Esaki, Appl. Phys. Lett. 47, 826 (1985).
14. Y. Ababou, P. Desjardins, R. A. Masut, A. Yelon, and G. L'Espérance, Can. J. Phys. (in press).
15. R. J. Matyi, J. W. Lee, and H. F. Schaake, J. Electron. Mater. 17, 87 (1988).
16. S. K. Ghandi and J. E. Ayers, Appl. Phys. Lett. 53, 1204 (1988).
17. M. Grundmann, A. Krost, and D. Bimberg, Surf. Sci. 267, 47 (1992).
18. P. Jakob, Y. J. Chabal, k. Raghavachari, R. S. Becker, and A. J. Becker, Surf. Sci. 275, 407 (1992).
19. C. A. Tran, R. A. Masut, P. Cova, and J. L. Brebner, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 2063 (1991).
20. L. C. Feldman, J. W. Mayer, and S. T. Picraux, Materials Analysis by Ion Channeling (Academic, New York, 1982).
21. G. Bastard, Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (Editions de Physique, Les Ulis, 1988), p. 247.
22. K. Nishi and T. Anan, J. Appl. Phys. 70, 5004 (1991).
23. S. Adachi, J. Appl. Phys. 53, 8775 (1982).
24. S. R. Watkins, R. Arés, R. A. Masut, C. A. Trans, and J. L. Brebner, J. Appl. Phys. 75, 2460 (1994).
25. M. Tachikawa and M. Yamaguchi, Appl. Phys. Lett. 56, 484 (1990).
26. J. E. Ayers, S. K. Ghandi, and L. J. Schowalter, J. Cryst. Growth 113, 430 (1991).
27. H. Nagai, J. Appl. Phys. 45, 3789 (1974).
28. N. Otsuka, C. Choi, Y. Nakamura, S. Nagakura, R. Fischer, C. K. Peng, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 49, 277 (1986).
29. F. Riesz, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 425 (1996).
30. T. E. Mitchell and O. Unal, J. Electron. Mater. 20, 723 (1991).