Study of bi-layer silylation process for 193 nm lithography

Journal of Photopolymer Science and Technology

Volumn 12, Issue 4, 1999, Pages 687-692

  Satou, I ^a   Kuhara, K ^a   Endo, M ^a   Morimoto, H ^a  

^a SEMICONDUCTOR LEADING EDGE TECHNOLOGIES INC   (Japan)

Author keywords

ArF; Bi layer resist; Dry development; LER; TSI

Indexed keywords

EID: 0001213781     PISSN: 09149244     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.2494/photopolymer.12.687     Document Type: Article

References (10)

1. S. Mori, K. Kuhara, T. Ohfuji, M. Sasago, Proc. SPIE. 3947 (1997) 146
2. T. Matsuo, M.Endo, J. PhotoPolym. Sci. Technol. 9 (1996) 523
3. D. R. Wheeler, S. Hutton, S. Stein, F. Baiocchi, M. Cheng, G, Taylor, J. Vac. Sci. Technol. B 11(6), Nov / Dec (1993) 2789
4. D.W. Johnson, D. Minsek, S. Dionisio, C. E. Crowley, G. J. Cernigliaro, J. Photopolym. Sci. Technol., Vol. 11 (1998) 619
5. D. W. Johnson, M. A. Hartney, Jpn. J. Appl. Phys., 31 (1992) 4321
6. R. R. Kunz, S. C.Palmateer, A. R. Forte, R. D. Allen, G. M. Wallraff, R. A. Dipietro, D. C. Hofer, Proc. SPIE 2724 (1996) 365
7. M. Shirai, J. Nakanishi, M. Tsunooka, T. Matsuo, M. Endo, J. Photopolym. Sci. Technol., Vol. 11, No.4 (1998) 641
8. G. Dabbagh, R. S. Hutton, R. A . Cirelli, A. E. Novembre, E. Reichmanis, O. Naramasu, J. Photopolym. Sci. Technol., Nol.11, No.4 (1998) 6511.
9. J. Hutchinson, V. Rao, G. Zhang, A. Pawloski, C. Fonseca, J. Chambers, S. Holl, S. Das, C. Henderson, D. Wheeler, Proc. SPIE. 3333 (1998) 165
10. I. Satou, K. Kuhara, M. Endo, H. Morimoto, Proc. SPIE. 3678 (1999)