Fabrication of 2-nm-wide silicon quantum wires through a combination of a partially-shifted resist pattern and orientation-dependent etching

Applied Physics Letters

Volumn 70, Issue 5, 1997, Pages 619-621

  Namatsu, Hideo ^a   Kurihara, Kenji ^a   Nagase, Masao ^a   Makino, Takahiro ^a  

^a NTT Basic Research Laboratories   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001127448     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.118331     Document Type: Article

References (14)

1. H. Namatsu, Y. Takahashi, M. Nagase, and K. Murase. J. Vac. Sci. Technol. B 13, 2166 (1995).
2. Y. Nakajima, Y. Takahashi, S. Horiguchi, K. Iwadate, H. Namatsu, K. Kurihara, and M. Tabe, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 1309 (1995).
3. W. Chen and H. Ahmed, Appl. Phys. Lett. 62, 1499 (1993).
4. K. Kurihara, K. Iwadate, H. Namatsu, M. Nagase, H. Takenaka, and K. Murase, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 6940 (1995).
5. T. H. P. Chang, D. P. Kern, E. Kratchmer, K. Y. Lee, H. E. Luhn, M. A. McCord, S. A. Rishton, and Y. Vladimirsky, IBM J. Res. Dev. 32, 462 (1988).
6. A. N. Broers, IBM J. Res. Dev. 32, 502 (1988).
7. H. I. Liu, N. I. Malufad, and R. F. W. Pease, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2846 (1992).
8. P. B. Fischer, K. Dai, E. Chen, and S. Y. Chou, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2524 (1993).
9. H. Namatsu, M. Nagase, K. Kurihara, K. Iwadate, T. Furuta, and K. Murase, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1473 (1995).
10. K. Kurihara, K. Iwadate, H. Namatsu, M. Nagase, and K. Murase, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 2170 (1995).
11. D. L. Kendall, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 3598 (1990).
12. M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, K. Murase, and T. Makino, Microelectron. Eng. 30, 419 (1996).
13. S. Horiguchi, Y. Nakajima, Y. Takahashi, and M. Tabe, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 5489 (1995).
14. H. Namatsu, T. Furuta, M. Nagase, K. Kurihara, K. Iwadate, K. Murase, and T. Makino, Microelectron. Eng. 30, 463 (1996).