Direct formation of nanocrystalline silicon by electron cyclotron resonance chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 70, Issue 22, 1997, Pages 3014-3016

  Choi, Won Chel ^a,b   Kim, Eun Kyu ^a   Min, Suk Ki ^a   Park, Chong Yun ^b   Kim, Joon Hyung ^c   Seong, Tae Yeon ^c  

^a Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

^b Sungkyunkwan University   (South Korea)

^c Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001003661     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.118734     Document Type: Article

References (24)

1. L. T. Canham. Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
2. T. Ohno, K. Shiraishi, and T. Ogawa, Phys. Rev. Lett. 69, 2400 (1992).
3. A. J. Read, R. J. Needs, K. J. Nash, L. T. Canham, P. D. J. Calcott, and A. Qteish, Phys. Rev. Lett. 69, 1232 (1992).
4. R. Tsu, H. Shen, and M. Dutta, Appl. Phys. Lett. 60, 112 (1992).
5. T. Takahara and K. Takeda, Phys. Rev. B 46, 15578 (1992).
6. Y. Kanemitsu, T. Ogawa, K. Shiraishi, and K. Takeda, Phys. Rev. B 48, 4883 (1993).
7. G. G. Qin, A. P. Li, B. R. Zhang, and B.-C. Li, J. Appl. Phys. 78, 2006 (1995).
8. S. Lazarouk, P. Jaguiro, S. Katsouba, G. Masini, S. La Monica, G. Maiello, and A. Ferrari, Appl. Phys. Lett. 68, 2108 (1996).
9. X. Zhao, O. Schoenfeld, J. Kusano, Y. Aoyagi, and T. Sugano, Jpn. J. Appl. Phys. 1 33, L649 (1994).
10. M. Yamamoto, R. Hayashi, K. Tsunetomo, K. Kohno, and Y. Osaka, Jpn. J. Appl. Phys. 1 30, 136 (1991).
11. W. A. Saunders, P. C. Sercel, R. B. Lee, H. A. Atwater, K. J. Vahala, R. C. Flagan, and E. J. Escorcia-Aparcio, Appl. Phys. Lett. 63, 1549 (1993).
12. T. S.-Iwayama, S. Nakao, and K. Saitoh, Appl. Phys. Lett. 65, 1814 (1994).
13. L. N. Dinh, L. L. Chase, M. Balooch, L. J. Terminello, and F. Wooten, Appl. Phys. Lett. 65, 3111 (1994).
14. H. M. Cheong, W. Paul, S. P. Withrow, J. G. Zhu, J. D. Budai, C. W. White, and D. M. Hembree, Jr., Appl. Phys. Lett. 68, 87 (1996).
15. T. Yoshida, S. Takeyama, Y. Yamada, and K. Mutoh, Appl. Phys. Lett. 68, 1772 (1996).
16. W. C. Choi, M.-S. Lee, E. K. Kim, C. K. Kim, S.-K. Min, C.-Y. Park, and J. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 69, 3402 (1996).
17. L. W. Wang and A. Zunger, J. Phys. Chem. 98, 2158 (1994).
18. C. Delerue, G. Allan, and M. Lannoo. Phys. Rev. B 48, 11024 (1993).
19. S. M. Prokes, Appl. Phys. Lett. 62, 3244 (1993).
20. J. C. Vial, A. Bsiesy, F. Gaspard, R. Herino, M. Ligeon, F. Muller, R. Romestain, and R. M. Macfarlane, Phys. Rev. B 45, 14171 (1992).
21. Z. H. Lu, S. P. Tay, R. Cao, and P. Pianetta, Appl. Phys. Lett. 67, 2836 (1995).
22. B. H. Augustine, E. A. Irene, Y. J. He, K. J. Price, L. E. McNeil, K. N. Christensen, and D. M. Maher, J. Appl. Phys. 78, 4020 (1995).
23. C. Tsai, K.-H. Li, D. S. Kinosky, R.-Z. Qian, T.-C. Hsu, J. T. Irby, S. K. Banerjee, A. F. Tasch, J. C. Campbell, B. K. Hance, and J. M. White, Appl. Phys. Lett. 60, 1700 (1992).
24. S. M. Prokes, W. E. Carlos, and V. M. Bermudez, Appl. Phys. Lett. 61, 1447 (1992).