Influence of fluorine in BF2+ implantation on the formation of ultrashallow and low-leakage silicon p+ n junctions by 450-500 °C annealing

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 6, 1997, Pages 2560-2565

  Nakada, Akira ^a   Kanemoto, Kei ^a   Oka, Mauricio Massazumi ^a   Tamai, Yukio ^a   Ohmi, Tadahiro ^a  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000821810     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.364444     Document Type: Article

References (20)

1. K. S. Jones, L. H. Zhang, V. Krishnamoorthy, M. Law, D. S. Simons, P. Chi, L. Rubin, and R. G. Elliman, Appl. Phys. Lett. 68, 2672 (1996).
2. H. S. Chao, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, Appl. Phys. Lett. 68, 3570 (1996).
3. M. Jaraiz, G. H. Gilmer, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 68, 409 (1996).
4. T. Ohmi, Jpn. J. Appl. Phys. 1 33, 6747 (1994).
5. H. Shimada, Y. Hirano, T. Ushiki, and T. Ohmi, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 881 (1995).
6. H. Shimada and T. Ohmi, IEEE Trans. Electron Devices 43, 431 (1996).
7. A. E. Michel, F. F. Fang, and E. S. Pan, J. Appl. Phys. 45, 2991 (1974).
8. S. D. Brotherton, J. P. Gowers, N. D. Young, J. B. Clegg, and J. R. Ayres, J. Appl. Phys. 60, 3567 (1986).
9. T. Nitta, T. Ohmi, Y. Ishihara, A. Okita, T. Shibata, J. Sugiura, and N. Ohwada, J. Appl. Phys. 67, 7404 (1990).
10. K. Tomita, T. Migita, S. Shimonishi, T. Shibata, T. Ohmi, and T. Nitta, J. Electrochem. Soc. 142, 1692 (1995).
11. M. M. Oka, A. Nakada, K. Tomita, T. Shibata, T. Ohmi, and T. Nitta, Jpn. J. Appl. Phys. 1 34, 769 (1995).
12. A. Nakada, M. M. Oka, Y. Tamai, T. Shibata, and T. Ohmi, J. Appl. Phys. 80, 1594 (1996).
13. M. Y. Tsai and B. G. Streetman, J. Appl. Phys. 50, 183 (1979).
14. L. Csepregi, E. F. Kennedy, T. J. Gallagher, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 48, 4234 (1977).
15. K. Kotani, T. Ohmi, S. Shimonishi, T. Migita, H. Komori, and T. Shibata, IEICE Trans. Electron E76-C, 541 (1993).
16. J. E. Gibons, W. S. Johnson, and S. W. Mylroie, Projected Range Statistics, Semiconductors and Related Materials, 2nd ed. (Dowden, Hutchinson and Ross, Stroudsburg, PA, 1975).
17. M. Y. Tsai, D. S. Day, B. G. Streetman, P. Williams, and C. A. Evans, Jr., J. Appl. Phys. 50, 188 (1979).
18. J. S. Williams and R. G. Elliman, Nucl. Instrum. Methods 182/183, 389 (1981).
19. J. S. Williams and R. G. Elliman, Appl. Phys. Lett. 40, 266 (1982).
20. Y. Tamai, M. M. Oka, A. Nakada, and T. Ohmi (unpublished).