Surface-mode lasing from stacked InGaN insertions in a GaN matrix

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 26, 1999, Pages 3921-3923

  Sakharov, A V ^a   Lundin, W V ^a   Krestnikov, I L ^a   Semenov, V A ^a   Usikov, A S ^a   Tsatsul'nikov, A F ^a   Musikhin, Yu G ^a   Baidakova, M V ^a   Alferov, Zh I ^a   Ledentsov, N N ^b   Hoffmann, A ^b   Bimberg, D ^b  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^b TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000816962     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124224     Document Type: Article

References (15)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 2014 (1998).
2. I. L. Krestnikov, M. Strassburg, M. Caesar, A. Hoffmann, U. W. Pohl, D. Bimberg, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, D. Litvinov, A. Rosenauer, and D. Gerthsen, Phys. Rev. B (in press).
3. K. Tachibana, T. Someya, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 74, 383 (1999).
4. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 2753 (1997).
5. A. Vertikov, A. V. Nurmikko, K. Doverspike, G. Bulman, and J. Edmond, Appl. Phys. Lett. 73, 493 (1998); K. Tachibana, T. Someya, and Y. Arakawa, ibid. 74, 383 (1999); R. W. Martin, P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, and W. Van der Stricht, ibid. 74, 263 (1999).
6. A. Vertikov, A. V. Nurmikko, K. Doverspike, G. Bulman, and J. Edmond, Appl. Phys. Lett. 73, 493 (1998); K. Tachibana, T. Someya, and Y. Arakawa, ibid. 74, 383 (1999); R. W. Martin, P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, and W. Van der Stricht, ibid. 74, 263 (1999).
7. A. Vertikov, A. V. Nurmikko, K. Doverspike, G. Bulman, and J. Edmond, Appl. Phys. Lett. 73, 493 (1998); K. Tachibana, T. Someya, and Y. Arakawa, ibid. 74, 383 (1999); R. W. Martin, P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, and W. Van der Stricht, ibid. 74, 263 (1999).
8. S. T. Kim, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 67, 267 (1995).
9. M. Asif Khan, S. Krishnankutty, R. A. Skogman, J. N. Kuznia, D. T. Olson, and T. George, Appl. Phys. Lett. 65, 520 (1994).
10. T. Someya, K. Tachibana, J. Lee, T. Kamiya, and Y. Arakawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1424 (1998).
11. J. Christen, T. Hempel, F. Bertram, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, A. V. Sakharov, M. V. Maximov, A. S. Usikov, W. V. Lundin, B. V. Pushnyi, and Zh. I. Alferov, Physica E 2, 557 (1998).
12. M. Strassburg, V. Kutzer, U. W. Pohl, A. Hoffmann, I. Broser, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, A. Rosenauer, U. Fischer, D. Gerthsen, I. L. Krestnikov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 72, 942 (1998).
13. N. N. Ledentsov, D. Bimberg, V. M. Ustinov, M. V. Maximov, Zh. I. Alferov, V. P. Kalosha, and J. A. Lott, Semicond. Sci. Technol. 13, 99 (1999).
14. F. Jain and W. Huang, J. Appl. Phys. 85, 2706 (1999).
15. N. Kirstaedter, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, U. Richter, S. S. Ruvimov, P. Werner, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Electron. Lett. 30, 1416 (1994).