Kinetics of Si growth from hydride precursors on As-passivated Si(001) surface

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 7, 2001, Pages 919-921

  Tok, E S ^a,b   Hartell, A D ^a   Zhang, J ^a  

^a IMPERIAL COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000790048     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1347396     Document Type: Article

References (15)

1. H. Daembkes, H.-J. Herzog, H. Jorke, H. Kibbel, and E. Kasper, IEEE Trans. Electron Devices 33, 633 (1986).
2. Y. Ota, J. Appl. Phys. 51, 1102 (1980).
3. J. M. Feranadez, M. H. Xie, S. M. Mokler, J. Zhang, and B. A. Joyce, Mater. Sci. Technol. 11, 396 (1995); M. H. Xie, J. Zhang, J. M. Fernandez, A. K. Lees, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 397, 164 (1998); J. A. N. T. Soares, H. Kim, G. Glass, P. Desjardines, and J. E. Greene, Appl. Phys. Lett. 74, 1290 (1999).
4. J. M. Feranadez, M. H. Xie, S. M. Mokler, J. Zhang, and B. A. Joyce, Mater. Sci. Technol. 11, 396 (1995); M. H. Xie, J. Zhang, J. M. Fernandez, A. K. Lees, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 397, 164 (1998); J. A. N. T. Soares, H. Kim, G. Glass, P. Desjardines, and J. E. Greene, Appl. Phys. Lett. 74, 1290 (1999).
5. J. M. Feranadez, M. H. Xie, S. M. Mokler, J. Zhang, and B. A. Joyce, Mater. Sci. Technol. 11, 396 (1995); M. H. Xie, J. Zhang, J. M. Fernandez, A. K. Lees, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 397, 164 (1998); J. A. N. T. Soares, H. Kim, G. Glass, P. Desjardines, and J. E. Greene, Appl. Phys. Lett. 74, 1290 (1999).
6. W. Ahmed and D. B. Meakin, J. Cryst. Growth 79, 394 (1986); R. F. C. Farrow and J. D. Filby, J. Electrochem. Soc. 119, 149 (1971).
7. W. Ahmed and D. B. Meakin, J. Cryst. Growth 79, 394 (1986); R. F. C. Farrow and J. D. Filby, J. Electrochem. Soc. 119, 149 (1971).
8. J. H. Neave, B. A. Joyce, P. J. Dobson, and N. G. Norton, Appl. Phys. A: Solids Surf. 31, 1 (1983).
9. J. Zhang, A. Marinopoulou, J. Hartung, E. C. Lightowelers, N. Anwar, G. Parry, M. H. Xie, S. M. Mokler, X. D. Wu, and B. A. Joyce, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1139 (1994).
10. R. D. Bringans, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 17, 353 (1992); L. Kipp, R. D. Bringans, D. K. Biegelsen, and L.-E. Swartz, Phys. Rev. B 50, 5448 (1994).
11. R. D. Bringans, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 17, 353 (1992); L. Kipp, R. D. Bringans, D. K. Biegelsen, and L.-E. Swartz, Phys. Rev. B 50, 5448 (1994).
12. L. Kipp, D. K. Biegelsen, J. E. Northup, L. E. Swartz, and R. D. Bringans, Phys. Rev. Lett. 76, 2810 (1996).
13. R. W. Price, E. S. Tok, and J. Zhang, Phys. Rev. B 59, R5292 (1999).
14. F. Hirose, J. Cryst. Growth 179, 108 (1997).
15. J. Zhang, E. S. Tok, and A. D. Hartell, unpublished.