Effect of surface steps on the microstructure of lateral composition modulation

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 5, 2000, Pages 669-671

  Follstaedt, D M ^a   Reno, J L ^a   Jones, E D ^a   Lee, S R ^a   Norman, A G ^b   Moutinho, H R ^b   Mascarenhas, A ^b   Twesten, R D ^c  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^b NATIONAL RENEWABLE ENERGY LABORATORY   (United States)

^c UNIVERSITY OF ILLINOIS AT URBANA CHAMPAIGN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000778336     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.127080     Document Type: Article

References (18)

1. K. C. Hsieh, J. N. Baillargeon, and K. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett. 57, 2244 (1990).
2. A. C. Chen, A. M. Moy, L. J. Chou, K. C. Hsieh, and K. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett. 66, 2694 (1995). Average wire lengths of 0.3 μm are shown.
3. K. Y. Cheng, K. C. Hsieh, and J. N. Baillargeon, Appl. Phys. Lett. 60, 2892 (1992).
4. T. Okada, G. C. Weatherly, and D. W. McComb, J. Appl. Phys. 81, 2185 (1997).
5. J. Mirecki Millunchick, R. D. Twesten, S. R. Lee, D. M. Follstaedt, E. D. Jones, S. P. Ahrenkiel, Y. Zhang, H. M. Cheong, and A. Mascarenhas, MRS Bull. 22, 38 (1997).
6. A. G. Norman, S. P. Ahrenkiel, H. Moutinho, M. M. Al-Jassim, A. Mascarenhas, J. Mirecki Millunchick, S. R. Lee, R. D. Twesten, D. M. Follstaedt, J. L. Reno, and E. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 73, 1844 (1998).
7. A. Mascarenhas, R. G. Alonso, G. S. Horner, S. Froyen, K. C. Hsieh, and K. Y. Cheng, Superlattices Microstruct. 12, 57 (1992).
8. S. T. Chou, K. Y. Cheng, L. J. Chou, and K. C. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 66, 2220 (1995).
9. D. E. Wohlert, A. M. Moy, L. J. Chou, K. Y. Cheng, and K. C. Hsieh, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1352 (1998).
10. E. D. Jones, D. M. Follstaedt, S. R. Lee, J. L. Reno, J. Mirecki Millunchick, S. P. Ahrenkiel, A. Mascarenhas, A. G. Norman, Y. Zhang, and R. D. Twesten, Thin Solid Films 357, 31 (1999).
11. R. D. Twesten, D. M. Follstaedt, S. R. Lee, E. D. Jones, J. L. Reno, J. Mirecki Millunchick, A. G. Norman, S. P. Ahrenkiel, and A. Mascarenhas, Phys. Rev. B 60, 13619 (1999).
12. A. G. Norman, unpublished TEM images of InP/GaP exhibit some 2D character. Plan-view images in Ref. 2 (Fig. 3, InAs/GaAs) and Ref. 13 [Fig. 4(c), InP/GaP] also exhibit some degree of 2D modulation, with wire orientations varying slightly to either side of [1-10].
13. K. C. Hsieh and K. Y. Cheng, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 379, 145 (1995).
14. S. R. Lee, J. Mirecki Millunchick, R. D. Twesten, D. M. Follstaedt, J. L. Reno, S. P. Ahrenkiel, and A. G. Norman, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 10, 191 (1999).
15. S. P. Ahrenkiel, A. G. Norman, M. M. Al-Jassim, A. Mascarenhas, J. Mirecki Millunchick, R. D. Twesten, S. R. Lee, D. M. Follstaedt, and E. D. Jones, J. Appl. Phys. 84, 6088 (1998).
16. S. Ohkouchi and I. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1826 (1991).
17. V. P. Evtikhiev, V. E. Tokranov, A. K. Kryzhanovskii, A. M. Boiko, R. A. Suris, A. N. Titkov, A. Nakamura, and M. Ichida, Semiconductors 32, 765 (1998).
18. I. P. Ipatova, V. G. Malyshkin, A. A. Maradudin, V. A. Shchukin, and R. F. Wallis, Phys. Rev. B 57, 12968 (1998).