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Volumn 266-269 B, Issue , 2000, Pages 1315-1319

Properties of hydrogenated amorphous silicon thin film transistors fabricated at 150°C

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EID: 0000574573     PISSN: 00223093     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/s0022-3093(99)00943-6     Document Type: Article
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References (15)
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.