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Volumn 61, Issue 4, 2000, Pages 2773-2778

Tailoring of internal fields in AlGaN/GaN and InGaN/GaN heterostructure devices

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EID: 0000535488     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.61.2773     Document Type: Article
Times cited : (33)

References (19)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.