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Volumn 72, Issue 26, 1998, Pages 3473-3475

Efficient 300 K light-emitting diodes at λ∼5 and ∼8μm from InAs/In(As1-xSbx) single quantum wells

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EID: 0000472292     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121670     Document Type: Article
Times cited : (25)

References (16)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.