Annealing effects in ZnSe/GaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 22, 1997, Pages 3257-3259

  Leem, J Y ^a   Son, J S ^a   Lee, C R ^a   Kim, C S ^a   Cho, Y K ^a   Lee, Hwack J ^a   Noh, S K ^a   Bae, I H ^b  

^a Korea Research Institute of Standards and Science   (South Korea)

^b Yeungnam University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000396156     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120307     Document Type: Article

References (22)

1. M. A. Haase, J. Qiu, J. M. DePuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).
2. H. Jeon, J. Ding, W. Patterson, A. V. Nurmikko, W. Xie, D. C. Grillo, M. Kobayashi, and R. L. Gunshor, Appl. Phys. Lett. 59, 3619 (1991).
3. D. C. Grillo, W. Xie, M. Kobayashi, R. L. Gunshor, G. C. Hua, N. Otsuka, H. Jeon, J. Ding, and A. V. Nurmikko, J. Electron. Mater. 22, 441 (1993).
4. D. Eason, J. Ren, Z. Yu, C. Hughes, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, N. A. El-Masry, G. Cantwell, and W. C. Harsh, J. Cryst. Growth 150, 718 (1995).
5. B. J. Wu, L. H. Kuo, J. M. DePuydt, G. M. Haugen, M. A. Haase, and L. Salamanca-Riba, Appl. Phys. Lett. 68, 379 (1996).
6. A. Ishibashi, International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, Japan.,1996, pp. 113-118.
7. P. J. Parbrook, M. Ishikawa, Y. Nishikawa, S. Saito, M. Onomura, and G. Hatakoshi, J. Cryst. Growth 150, 749 (1995).
8. E. D. Bourret-Courchesne, Appl. Phys. Lett. 68, 1675 (1996).
9. S. Ruvimov, E. D. Bourret, J. Washburn, and Z. Liliental-Weber, Appl. Phys. Lett. 68, 346 (1996).
10. G. C. Hua, D. C. Grillo, T. B. Ng, C. C. Chu, J. Han, and R. L. Gunshor, J. Electron. Mater. 25, 263 (1996).
11. B. J. Wu, G. M. Haugen, J. M. DePuydt, L. H. Kuo, and L. Salamanca-Riba, Appl. Phys. Lett. 68, 2828 (1996).
12. S. Bauer, A. Rosenauer, P. Link, W. Kuhn, J. Zweck, and W. Gebhardt, Ultramicroscopy 51, 221 (1993).
13. K. Wolf, S. Jilka, H. Sahiu, H. Stanzl, T. Reisinger, A. Naumov, and W. Gebhardt, J. Cryst. Growth 152, 34 (1995).
14. P. A. Murawala, O. Tsuji, S. Fujita, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 30, 3777 (1991).
15. B. J. Skromme, W. Liu, K. F. Jensen, and K. P. Giapis, J. Cryst. Growth 138, 338 (1994).
16. A. D. Raisanen, L. J. Brillson, L. Vanzetti, A. Bonanni, and A. Francioci, Appl. Phys. Lett. 66, 3301 (1995).
17. J. Y. Leem, J. S. Son, C. R. Lee, C. S. Kim, Y. K. Cho, S. K. Noh, H. S. Park, M. D. Kim, and T. I. Kim, Semicond. Sci. Technol. 12, 767 (1997).
18. J. Gutowski, N. Presser, and G. Kudlek, Phys. Status Solidi A 120, 11 (1990).
19. K. Shahzad, J. Petruzzello, D. J. Otego, D. A. Cammack, and J. M. Gaines, Appl. Phys. Lett. 57, 2452 (1990).
20. Y. Zhang, W. Liu, B. J. Skromme, H. Cheng, S. M. Shibli, and M. C. Tamargo, J. Cryst. Growth 138, 310 (1994).
21. J. Petruzzello, B. L. Greenberg, D. A. Cammack. and R. Dalby, J. Appl. Phys. 63, 2299 (1988).
22. K. Wolf, S. Jilka, H. Sahin, H. Stanzl, T. Reisinger, A. Naumov, and W. Gebhardt, J. Cryst. Growth 152, 34 (1995).