Epitaxially grown Si/SiGe interband tunneling diodes with high room-temperature peak-to-valley ratio

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 7, 2000, Pages 879-881

  Duschl, R ^a   Schmidt, O G ^a   Eberl, K ^a  

^a MAX PLANCK INSTITUT FÜR FESTKÖRPERFORSCHUNG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000194609     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125616     Document Type: Article

References (12)

1. L. Esaki, Phys. Rev. 109, 603 (1958).
2. T. C. L. G. Sollner, P. E. Tannenwald, D. D. Peck, and W. D. Goodhue, Appl. Phys. Lett. 45, 1319 (1984).
3. J. P. Sun, G. I. Haddad, P. Mazumder, and J. N. Schulman, Proc. IEEE 86, 639 (1998).
4. P. Mazumder, S. Kulkarni, M. Bhattacharya, J. P. Sun, and G. I. Haddad, Proc. IEEE 86, 662 (1998).
5. L. L. Chang, L. Esaki, and R. Tsu, Appl. Phys. Lett. 24, 593 (1974).
6. K. Ismail, B. S. Meyerson, and P. J. Wang, Appl. Phys. Lett. 59, 973 (1991).
7. H. Jorke, H. Kibbel, K. Strohm, and E. Kasper, Appl. Phys. Lett. 63, 2408 (1993).
8. S. L. Rommel, T. E. Dillon, M. W. Dashiell, H. Feng, J. Kolodzey, P. R. Berger, P. K. Thompson, K. D. Hobart, R. Lake, A. C. Seabaugh, G. Klimeck, and D. K. Blanks, Appl. Phys. Lett. 73, 2191 (1998).
9. R. Duschl, O. G. Schmidt, G. Reitemann, E. Kasper, and K. Eberl, Electron. Lett. 35, 1111 (1999).
10. R. Duschl, O. G. Schmidt, and K. Eberl, Phys. Rev. E (in press).
11. V. M. Franks, K. F. Hulme, and J. R. Morgan, Solid-State Electron. 8, 343 (1965).
12. E. O. Kane, J. Phys. Chem. Solids 12, 181 (1959).