Si/ZnS and Si/ZnSe core/shell nanocrystal structures

Applied Physics Letters

Volumn 85, Issue 16, 2004, Pages 3593-3595

  Hu, J Q ^a   Bando, Y ^a   Zhan, J H ^a   Golberg, D ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITORS; CRYSTAL STRUCTURE; ELECTROLUMINESCENCE; ELECTRONIC PROPERTIES; EVAPORATION; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OPTICAL PROPERTIES; OXIDATION; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; THERMAL EFFECTS; ZINC SULFIDE;

BAND-GAP SEMICONDUCTORS; NANOCAPACITORS; NANOCRYSTALS; NANOWAVEGUIDES;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 9744284191     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1808472     Document Type: Article

References (16)

1. A. Mews, A. Eychmüller, M. Giersig, D. Schoos, and H. Weller, J. Phys. Chem. 98, 934 (1994); M. A. Mines and P. Guoyot-Sionnest, ibid. 100, 468 (1996); M. Danek, K. F. Jensen, C. B. Murray, and M. G. Bawendi, Chem. Mater. 8, 173 (1996); X. Peng, M. C. Schlamp, A. V. Kadavanich, and A. P. Alivisatos, J. Am. Chem. Soc. 119, 7019 (1997); Y.-W. Cao and U. Banin, Angew. Chem., Int. Ed. Engl. 38, 3692 (1999).
2. A. Mews, A. Eychmüller, M. Giersig, D. Schoos, and H. Weller, J. Phys. Chem. 98, 934 (1994); M. A. Mines and P. Guoyot-Sionnest, ibid. 100, 468 (1996); M. Danek, K. F. Jensen, C. B. Murray, and M. G. Bawendi, Chem. Mater. 8, 173 (1996); X. Peng, M. C. Schlamp, A. V. Kadavanich, and A. P. Alivisatos, J. Am. Chem. Soc. 119, 7019 (1997); Y.-W. Cao and U. Banin, Angew. Chem., Int. Ed. Engl. 38, 3692 (1999).
3. A. Mews, A. Eychmüller, M. Giersig, D. Schoos, and H. Weller, J. Phys. Chem. 98, 934 (1994); M. A. Mines and P. Guoyot-Sionnest, ibid. 100, 468 (1996); M. Danek, K. F. Jensen, C. B. Murray, and M. G. Bawendi, Chem. Mater. 8, 173 (1996); X. Peng, M. C. Schlamp, A. V. Kadavanich, and A. P. Alivisatos, J. Am. Chem. Soc. 119, 7019 (1997); Y.-W. Cao and U. Banin, Angew. Chem., Int. Ed. Engl. 38, 3692 (1999).
4. A. Mews, A. Eychmüller, M. Giersig, D. Schoos, and H. Weller, J. Phys. Chem. 98, 934 (1994); M. A. Mines and P. Guoyot-Sionnest, ibid. 100, 468 (1996); M. Danek, K. F. Jensen, C. B. Murray, and M. G. Bawendi, Chem. Mater. 8, 173 (1996); X. Peng, M. C. Schlamp, A. V. Kadavanich, and A. P. Alivisatos, J. Am. Chem. Soc. 119, 7019 (1997); Y.-W. Cao and U. Banin, Angew. Chem., Int. Ed. Engl. 38, 3692 (1999).
5. A. Mews, A. Eychmüller, M. Giersig, D. Schoos, and H. Weller, J. Phys. Chem. 98, 934 (1994); M. A. Mines and P. Guoyot-Sionnest, ibid. 100, 468 (1996); M. Danek, K. F. Jensen, C. B. Murray, and M. G. Bawendi, Chem. Mater. 8, 173 (1996); X. Peng, M. C. Schlamp, A. V. Kadavanich, and A. P. Alivisatos, J. Am. Chem. Soc. 119, 7019 (1997); Y.-W. Cao and U. Banin, Angew. Chem., Int. Ed. Engl. 38, 3692 (1999).
6. M. Danek, K. F. Jensen, C. B. Murray, and M. O. Bawendi, Appl. Phys. Lett. 65, 2795 (1994): A. Mews, A. V. Kadavanich, U. Banin, and A. P. Alivisatos, Phys. Rev. B 53, R13242 (1996); M. Bruchez, M. Moronne, P. Gin, P. Weiss, and A. P. Alivisatos, Science 101, 9463 (1998).
7. M. Danek, K. F. Jensen, C. B. Murray, and M. O. Bawendi, Appl. Phys. Lett. 65, 2795 (1994): A. Mews, A. V. Kadavanich, U. Banin, and A. P. Alivisatos, Phys. Rev. B 53, R13242 (1996); M. Bruchez, M. Moronne, P. Gin, P. Weiss, and A. P. Alivisatos, Science 101, 9463 (1998).
8. M. Danek, K. F. Jensen, C. B. Murray, and M. O. Bawendi, Appl. Phys. Lett. 65, 2795 (1994): A. Mews, A. V. Kadavanich, U. Banin, and A. P. Alivisatos, Phys. Rev. B 53, R13242 (1996); M. Bruchez, M. Moronne, P. Gin, P. Weiss, and A. P. Alivisatos, Science 101, 9463 (1998).
9. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
10. R. Nakano, H. Matsumoto, T. Endo, J. Shimada, N. Sakagami, and N. Miura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L2103 (1988).
11. M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).
12. W. S. Shi, H. Y. Peng, N. Wang, C. P. Li, L. Xu, C. S. Lee, R. Kalish, and S. T. Lee, J. Am. Chem. Soc. 123, 11095 (2001).
13. J. Q. Hu, Y. Bando, Z. W. Liu, T. Sekiguchi, D. Golberg, and J. H. Zhan, J. Am. Chem. Soc. 125, 11306 (2003).
14. A. Bukaluk, M. Trzcinski, F. Firszt, S. Legowski, and H. Meczynska, Surf. Sci. 175, 507 (2002); J. F. Suyver, S. F. Wuister, J. J. Kelly, and A. Meijerink, Phys. Chem. Chem. Phys. 2, 5445 (2002); N. Sankar and K. Ramachandran, J. Cryst. Growth 247, 157 (2003).
15. A. Bukaluk, M. Trzcinski, F. Firszt, S. Legowski, and H. Meczynska, Surf. Sci. 175, 507 (2002); J. F. Suyver, S. F. Wuister, J. J. Kelly, and A. Meijerink, Phys. Chem. Chem. Phys. 2, 5445 (2002); N. Sankar and K. Ramachandran, J. Cryst. Growth 247, 157 (2003).
16. A. Bukaluk, M. Trzcinski, F. Firszt, S. Legowski, and H. Meczynska, Surf. Sci. 175, 507 (2002); J. F. Suyver, S. F. Wuister, J. J. Kelly, and A. Meijerink, Phys. Chem. Chem. Phys. 2, 5445 (2002); N. Sankar and K. Ramachandran, J. Cryst. Growth 247, 157 (2003).