AlGaAs/GaAs high electron mobility transistor with a low-temperature grown GaAs ion damage blocking layer

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 4, 1997, Pages 494-496

  Chen, Ching Hui ^a   Ibbetson, James P ^a   hu, Evelyn L ^a   Mishra, Umesh K ^a  

^a University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84991913426     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.119608     Document Type: Article

References (7)

1. S. J. Pearton, F. Ren, J. R. Lothian, T. R. Fullowan, R. F. Kopf, U. K. Chakrabarti, S. P. Hui, A. B. Emerson, R. L. Kostelak, and S. S. Pei, J. Vac. Sci. Technol. B JVTBD9 9, 2487 (1991).
2. M. Rahman, N. P. Johnson, M. A. Foad, A. R. Long, M. C. Holland, and C. D. W. Wilkinson, Appl. Phys. Lett. APPLAB 61, 2335 (1992).
3. C. M. van Es, T. J. Eijkemans, J. H. Wolter, R. Pereira, M. Van Hove, and M. Van Rossum, J. Appl. Phys. JAPIAU 74, 6242 (1993).
4. R. J. Shul, M. L. Lovejoy, D. L. Hetherington, D. J. Rieger, G. A. Vawter, J. F. Klem, and M. R. Melloch, J. Vac. Sci. Technol. A JVTAD6 12, 1351 (1994).
5. C.-H. Chen, J. P. Ibbetson, X. H. Wu, E. L. Hu, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. APPLAB 69, 1728 (1996).
6. L. C. Feldman, J. W. Mayer, and S. T. Picraux, Materials Analysis by Ion Channeling (Academic, New York, 1989), Chap. 4.
7. L.-W. Yin, Y. Hwang, J. H. Lee, R. M. Kolbas, R. L. Trew, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 11, 561 (1990).