Growth technique to increase the device purpose yield of a KDP crystal and assessment of its quality using X-ray and optical techniques

CrystEngComm

Volumn 15, Issue 46, 2013, Pages 9955-9962

  Sharma, S K ^a   Verma, Sunil ^a   Singh, Yeshpal ^a   Bartwal, K S ^a  

^a RAJA RAMANNA CENTRE FOR ADVANCED TECHNOLOGY   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84887459310     PISSN: None     EISSN: 14668033     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c3ce41746h     Document Type: Article

References (32)

1. S. Genbo H. Youping L. Zhengdong J. Rihong Z. Changwu Y. Shangfeng J. Cryst. Growth 2000 213 99 102
2. K. Sangwal J. Cryst. Growth 1993 128 1236 1244
3. G. M. Loiacono Ferroelectrics 1987 71 49 60
4. N. P. Zaitseva L. N. Rashkovich S. V. Bogatyreva J. Cryst. Growth 1995 148 276 282
5. V. I. Bredikhin G. L. Galushkina V. P. Ershov V. I. Rubakha N. R. Shvetsova J. Cryst. Growth 1999 207 122 126
6. S. K. Sharma Sunil Verma B. B. Shrivastava V. K. Wadhawan J. Cryst. Growth 2002 244 342 348
7. G. Yang N. Kubota Z. Sha M. Louhi-Kultanen J. Wang Cryst. Growth Des. 2006 6 2799 2803
8. N. P. Zaitseva L. Carman I. Smolsky J. Cryst. Growth 2002 241 363 373
9. S. Satapathy S. K. Sharma A. K. Karnal V. K. Wadhawan J. Cryst. Growth 2002 240 196 202
10. K. Walter, Science and Technology Review, Lawrence Livermore National Laboratory, UCRL-52000-03-9, 2003, pp. 4-14
11. N. A. Booth T. Land P. Erhmann P. G. Vekilov Cryst. Growth Des. 2005 5 105 110
12. H. Yoshida T. Jitsuno H. Fujita M. Nakatsuka M. Yoshimura T. Sasaki K. Yoshida Appl. Phys. B: Lasers Opt. 2000 70 195
13. X. Ren D. Xu D. Xue J. Cryst. Growth 2008 310 2005
14. N. P. Zaitseva J. J. de Yoreo M. R. Dehaven R. L. Vital K. E. Montogomery M. Richardson L. J. Atherton J. Cryst. Growth 1997 180 255 262
15. N. P. Zaitseva I. L. Smolsky L. N. Rashkovich Sov. Phys. Crystallogr. 1991 36 113 115
16. V. Tatartchenko E. Beriot SPIE 1999 3492 384 390
17. V. I. Bespalov V. I. Bredikhin V. P. Ershov V. V. Zil'berberg V. I. Katsman S. Y. Potapenko SPIE 1995 2633 732 739
18. V. I. Bespalov J. Nonlinear Opt. Phys. Mater. 1997 6 467 472
19. V. Tatartchenko, US Pat., 6 929 693, 2005
20. H. Youping Z. Jinbo W. Dexang S. Genbo Y. Minghan J. Cryst. Growth 1996 169 196 198
21. P. F. Bordui J. J. Zola G. Kostecky G. M. Loiacono J. Cryst. Growth 1985 71 269
22. W. Y. Shui P. Bennema W. H. van der Linden J. Boshaar J. W. M. van Kessel J. Cryst. Growth 1987 83 471
23. S. Balamurugan P. Ramasamy S. K. Sharma Y. Inkong P. Manyum Mater. Chem. Phys. 2009 117 465 470
24. S. Dinakaran Sunil Verma S. Jerome Das S. Kar K. S. Bartwal P. K. Gupta Phys. B 2010 405 1809 1812
25. A. K. Karnal H. O. Mahawar V. K. Wadhawan Indian J. Pure Appl. Phys. 1998 36 587 592
26. Sunil Verma K. Muralidhar Opt. Lasers Eng. 2011 49 915 923
27. S. Dinakaran Sunil Verma S. Jerome Das G. Bhagavannarayana S. Kar K. S. Bartwal Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2010 99 445 450
28. Sunil Verma, S. Kar and K. S. Bartwal, in Interferometry Principles and Applications, ed., Mark E. Russo, Nova Science Publishers, New York, USA, 2012, ch. 19, pp. 537-560
29. K. Lal G. Bhagavannarayana J. Appl. Crystallogr. 1989 22 209 215
30. Sunil Verma, S. K. Sharma, Yeshpal Singh, K. S. Bartwal and P. K. Gupta, Characterization of structural defects and optical quality of large size KDP crystals using X-ray topography and optical interferometry
31. I. M. Pritula M. I. Kolybayeva V. I. Salo Y. N. Velikhov J. Optoelectron. Adv. Mater. 2000 2 459 464
32. S. Dinakaran Sunil Verma S. Jerome Das S. Kar K. S. Bartwal Phys. B 2010 405 3919 3923