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Volumn 2, Issue 4, 2012, Pages

X-ray induced optical reflectivity

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ENERGY GAP; GALLIUM ARSENIDE; III-V SEMICONDUCTORS; LIGHT ABSORPTION; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SILICON NITRIDE; X RAY ABSORPTION;

EID: 84871904338     PISSN: None     EISSN: 21583226     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4768803     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.