Effect of void volume and silver loading on strain response of electrical resistance in silver flakes/polyurethane composite for stretchable conductors

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 51, Issue 11 PART2, 2012, Pages

  Araki, Teppei ^a   Sugahara, Tohru ^a   Nogi, Masaya ^a   Suganuma, Katsuaki ^a  

^a OSAKA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CYCLIC TENSILE TESTS; EFFECT OF VOIDS; EFFECTS OF STRAINS; ELECTRICAL BEHAVIORS; ELECTRICAL RESISTANCES; JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS; NEGATIVE CORRELATION; SILVER LOADING; SIMPLE METHOD; STRAIN RESPONSE; STRAIN SENSORS; STRETCHABLE ELECTRONICS; VOID VOLUME; WET SPINNING;

ELECTRIC RESISTANCE; SILVER; STRAIN;

LOADING;

EID: 84871396818     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.51.11PD01     Document Type: Conference Paper

References (30)

1. J. A. Rogers, Z. Bao, K. Baldwin, A. Dodabalapur, B. Crone, V. R. Raju, V. Kuck, H. Katz, K. Amundson, J. Ewing, and P. Drzaic: Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 98 (2001) 4835.
2. H. O. Jacobs, A. R. Tao, A. Schwartz, D. H. Gracias, and G. M. Whitesides: Science 296 (2002) 323.
3. M. Kaltenbrunner, M. S. White, E. D. Głowacki, T. Sekitani, T. Someya, N. S. Sariciftci, and S. Bauer: Nat. Commun. 3 (2012) 770.
4. D. Kim and J. A. Rogers: Adv. Mater. 20 (2008) 4887.
5. T. Sekitani and T. Someya: Adv. Mater. 22 (2010) 2228.
6. J. A. Rogers, T. Someya, and Y. Huang: Science 327 (2010) 1603.
7. R. Pelrine, R. Kornbluh, Q. Pei, and J. Joseph: Science 287 (2000) 836.
8. L. Xiao, Z. Chen, C. Feng, L. Liu, Z. Bai, Y. Wang, L. Qian, Y. Zhang, Q. Li, K. Jiang, and S. Fan: Nano Lett. 8 (2008) 4539.
9. J. Xiao, A. Carlson, Z. J. Liu, Y. Huang, H. Jiang, and J. A. Rogers: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 013109.
10. P. K. Pramanik, D. Khastagir, and T. N. Saha: J. Mater. Sci. 28 (1993) 3539.
11. L. Flandin, A. Chang, S. Nazarenko, A. Hiltner, and E. Baer: J. Appl. Polym. Sci. 76 (2000) 894.
12. R. Strumpler and J. Glatz-Reichenbach: J. Electroceram. 3 (1999) 329.
13. N. Bowden, S. Brittain, A. G. Evans, J. W. Hutchinson, and G. M. Whitesides: Nature 393 (1998) 146.
14. S. P. Lacour, S. Wagner, Z. Huang, and Z. Suo: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 2404.
15. D. S. Gray, J. Tien, and C. S. Chen: Adv. Mater. 16 (2004) 393.
16. M. Watanabe, H. Shirai, and T. Hirai: J. Appl. Phys. 92 (2002) 4631.
17. D. J. Lipomi, M. Vosgueritchian, B. C.-K. Tee, S. L. Hellstrom, J. A. Lee, C. H. Fox, and Z. Bao: Nat. Nanotechnol. 6 (2011) 788.
18. B. Y. Ahn, E. B. Duoss, M. J. Motala, X. Guo, S. Y. Xiong, J. Yoon, R. G. Nuzzo, J. A. Rogers, and J. A. Lewis: Science 323 (2009) 1590.
19. T. Sekitani, H. Nakajima, H. Maeda, T. Fukushima, T. Aida, K. Hata, and T. Someya: Nat. Mater. 8 (2009) 494.
20. T. Sekitani, Y. Noguchi, K. Hata, T. Fukushima, T. Aida, and T. Someya: Science 321 (2008) 1468.
21. Y. Zhang, C. J. Sheehan, J. Zhai, G. Zou, H. Luo, J. Xiong, Y. T. Zhu, and Q. X. Jia: Adv. Mater. 22 (2010) 3027.
22. L. Hu, M. Pasta, F. L. Mantia, L. Cui, S. Jeong, H. D. Deshazer, J. W. Choi, S. M. Han, and Y. Cui: Nano Lett. 10 (2010) 708.
23. A. J. Granero, P. Wagner, K. Wagner, J. M. Razal, G. G. Wallace, and M. Panhuis: Adv. Funct. Mater. 21 (2011) 955.
24. D. Wakuda and K. Suganuma: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 073304.
25. M. Inoue, Y. Kawahito, Y. Tada, T. Hondo, T. Kawasaki, K. Suganuma, and H. Ishiguro: J. Jpn. Inst. Electron. Packag. 11 (2008) 136.
26. T. Araki, M. Nogi, K. Suganuma, M. Kogure, and O. Kirihara: IEEE Electron Device Lett. 32 (2011) 1424.
27. M. Wegener and S. Bauer: ChemPhysChem 6 (2005) 1014.
28. K. H. Kim, M. Vural, and M. F. Islam: Adv. Mater. 23 (2011) 2865.
29. F. Lux: J. Mater. Sci. 28 (1993) 285.
30. K. Yamaguchi, J. J. C. Busfield, and A. G. Thomas: J. Polym. Sci., Part B 41 (2003) 2079.