Ferromagnetic and metallic properties of the semihydrogenated GaN sheet

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 248, Issue 6, 2011, Pages 1442-1445

  Xiao, Wen Zhi ^a,b   Wang, Ling Ling ^a   Xu, Liang ^a   Wan, Qing ^a   Pan, An Lian ^a   Deng, Hui Qiu ^a  

^a HUNAN UNIVERSITY   (China)

^b HUNAN INSTITUTE OF ENGINEERING   (China)

Author keywords

Density functional theory; GaN; Magnetic semiconductors

Indexed keywords

EID: 79956318980     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.201046494     Document Type: Article

References (25)

1. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
2. M. Y. Han, B. Özyilmaz, Y. Zhang, and P. Kim, Phys. Rev. Lett. 98, 206805 (2007).
3. O. V. Yazyev and L. Helm, Phys. Rev. B 75, 125408 (2007).
4. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
5. W. Han, S. Fan, Q. Li, and Y. Hu, Science 277, 1287 (1997).
6. J. Goldberger, R. He, Y. Zhang, S. Lee, H. Yan, H. J. Choi, and P. Yang, Nature 422, 599 (2003).
7. S. Y. Bae, H. W. Seo, J. Park, H. Yang, and S. A. Song, Chem. Phys. Lett. 365, 525 (2002).
8. L. Yang, X. Zhang, R. Huang, G. Zhang, and X. An, Solid State Commun. 130, 769 (2004).
9. X. Xiang, C. B. Cao, F. L. Huang, R. T. Lv, and H. S. Zhu, J. Cryst. Growth 263, 25 (2004).
10. H. Şahin, S. Cahangirov, M. Topsakal, E. Bekaroglu, E. Akturk, R. T. Senger, and S. Ciraci, Phys. Rev. B 80, 155453 (2009).
11. H. Li, J. Dai, J. Li, S. Zhang, J. Zhou, L. Zhang, W. Chu, D. Chen, H. Zhao, J. Yang, and Z. Wu, J. Phys. Chem. C 114(26), 11390 (2010).
12. P. E. Blochl, Phys. Rev. B 50, 17953 (1994).
13. G. Kresse and D. Joubert, Phys. Rev. B 59, 1758 (1999).
14. J. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
15. H. J. Monkhorst and J. D. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
16. J. O. Sofo, A. S. Chaudhari, and G. D. Barber, Phys. Rev. B 75, 153401 (2007).
17. Y. L. Wang Y. Ding, J. Ni, S. Q. Shi, C. R. Li, and J. J. Shi, Appl. Phys. Lett. 96, 213117 (2010).
18. B. Xu, J. Yin, Y. D. Xia, X. G. Wan, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett. 96, 143111 (2010).
19. J. Zhou, Q. Wang, Q. Sun, and P. Jena, Phys. Rev. B 81, 085442 (2010).
20. Y. Zhang, S. Q. Wu, Y. H. S. Wen, and Z. Z. Zhua, Appl. Phys. Lett. 96, 223113 (2010).
21. J. Zhou, Q. Wang, Q. Sun, X. S. Chen, Y. Kawazoe, and P. Jena, Nano Lett. 9, 3867 (2009).
22. A. R. Botello-Méndez, M. T. Martínez-Martínez, F. López-Urías, M. Terrones, and H. Terrones, Chem. Phys. Lett. 448, 258 (2007).
23. M. Wu, E. Z. Liu, and J. Z. Jiang, Appl. Phys. Lett. 93, 082504 (2008).
24. T. O. Wehling, K. S. Novoselov, S. V. Morozov, E. E. Vdovin, M. I. Katsnelson, A. K. Geim, and A. I. Lichtenstein, Nano Lett. 8, 173 (2008).
25. E. J. Kan, Z. Y. Li, J. L. Yang, and J. G. Hou, J. Am. Chem. Soc. 130, 4224 (2008).