Hexagonal single crystal growth of WO3 nanorods along a [110] axis with enhanced adsorption capacity

Chemical Communications

Volumn 47, Issue 15, 2011, Pages 4403-4405

  Zhu, Jian ^a   Wang, Songling ^a   Xie, Songhai ^b   Li, Hexing ^a  

^a SHANGHAI NORMAL UNIVERSITY   (China)

^b FUDAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

NANOROD; TEMAFLOXACIN; TUNGSTEN; TUNGSTEN OXIDE; UNCLASSIFIED DRUG;

ADSORPTION; ARTICLE; CRYSTALLIZATION; SYNTHESIS; X RAY DIFFRACTION;

EID: 79955015402     PISSN: 13597345     EISSN: 1364548X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c1cc00064k     Document Type: Article

References (25)

1. W. Cheng, E. Baudrin, B. Dunn, J. I. Zink, J. Mater. Chem., 2001, 11, 92.
2. I. Turyan, U. O. Krasovec, B. Orel, T. Saraidorov, R. Reisfeld, D. Mandler, Adv. Mater., 2000, 12, 330.
3. C. S. Rout, A. Govindaraj, C. N. R. Rao, J. Mater. Chem., 2006, 16, 3936.
4. C. Sanrato, M. Odziemkowski, M. Ulmann, J. Augustynski, J. Am. Chem. Soc., 2001, 123, 10639.
5. S. H. Baeck, K. S. Choi, T. F. Jaramillo, G. D. Stucky, E. W. McFarland, Adv. Mater., 2003, 15, 1269.
6. L. Wang, A. Teleki, S. E. Pratsinis, P. I. Gouma, Chem. Mater., 2008, 20, 4794.
7. E. Rossinyol, A. Prim, E. Pellicer, J. Arbiol, F. Hernández-Ramírez, F. Peiró, A. Cornet, J. R. Morante, L. A. Solovyov, B. Tian, T. Bo, D. Zhao, Adv. Funct. Mater., 2007, 17, 1801.
8. S. Bruyere, V. Potin, M. Gillet, B. Domenichini, S. Bourgeois, Thin Solid Films, 2009, 517, 6565.
9. S. Ayyappan, N. Rangavittal, Bull. Mater. Sci., 1997, 20, 103.
10. A. Ponzoni, E. Comini, M. Ferroni, G. Sberveglieri, Thin Solid Films, 2005, 490, 81.
11. O. Khyzhun, M. Solonin, V. D. Dobrovolsky, J. Alloys Compd., 2001, 320, 1.
12. Y. Wu, Z. Xi, G. Zhang, J. Yu, D. Guo, J. Cryst. Growth, 2006, 292, 143.
13. Z. Gu, H. Li, T. Zhai, W. Yang, Y. Xia, Y. Ma, J. Yao, J. Solid State Chem., 2007, 180, 98.
14. Z. J. Gu, Y. Ma, W. S. Yang, G. J. Zhang, J. N. Yao, Chem. Commun., 2005, 3597.
15. J. M. Wang, E. Khoo, P. S. Lee, J. Ma, J. Phys. Chem. C, 2008, 112, 14306.
16. K. Huang, Q. Pan, F. Yang, S. Ni, X. Wei, D. Hel, J. Phys. D: Appl. Phys., 2008, 41, 155417.
17. S. Masachika, M. Masahiro, Adv. Mater., 2009, 21, 1373.
18. D. Chen, L. Gao, A. Y. K. Kuroda, Y. Sugahara, Small, 2008, 4, 1813.
19. J. Zhu, S. H. Wang, Z. F. Bian, S. H. Xie, C. L. Cai, J. G. Wang, H. G. Yang, H. X. Li, CrystEngComm, 2010, 12, 2219.
20. R. Asahi, T. Morikawa, T. Ohwaki, K. Aoki, Y. Taga, Science, 2001, 293, 269.
21. S. Sakthivel, J. M. anczarek, H. Kisch, J. Phys. Chem. B., 2004, 108, 19384.
22. N. C. Saha, H. G. Tomkins, J. Appl. Phys., 1992, 72, 3072.
23. R. Sivakumar, A. Moses Ezhil Raj, B. Subramanian, M. Jayachandran, D. C. Trivedi, C. Sanjeeviraja, Mater. Res. Bull., 2004, 39, 1479.
24. Q. Wang, C. C. Chen, D. Zhao, W. H. Ma, J. C. Zhao, Langmuir, 2008, 24, 7338.
25. W. Morales, M. Cason, O. Aina, N. R. de Tacconi, K. Rajeshwar, J. Am. Chem. Soc., 2008, 130, 6318.