Ohmic contacts to n-type silicon-germanium

Applied Physics Letters

Volumn 69, Issue 23, 1996, Pages 3563-3565

  Nelson, S F ^a   Jackson, T N ^b  

^a Colby College   (United States)

^b PENNSYLVANIA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 6944232630     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.117246     Document Type: Article

References (9)

1. K. Ismail, M. Arafa, K. L. Sanger, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 66, 1077 (1995); F. Schaffler, D. Tobben, H. J. Herzog, G. Abstreiter, and B. Holander, Semicond. Sci. Technol. 7, 260 (1992); Don Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992).
2. K. Ismail, M. Arafa, K. L. Sanger, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 66, 1077 (1995); F. Schaffler, D. Tobben, H. J. Herzog, G. Abstreiter, and B. Holander, Semicond. Sci. Technol. 7, 260 (1992); Don Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992).
3. K. Ismail, M. Arafa, K. L. Sanger, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 66, 1077 (1995); F. Schaffler, D. Tobben, H. J. Herzog, G. Abstreiter, and B. Holander, Semicond. Sci. Technol. 7, 260 (1992); Don Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992).
4. D. Tobben, F. Schaffler, A. Zrenner, and G. Abstreiter, Phys. Rev. B 46, 4344 (1992).
5. G. Stoger, G. Brunthaler, G. Bauer, K. Ismail, B. S. Meyerson, J. Lutz, and F. Kuchar, Phys. Rev. B 49, 10 417 (1994).
6. S. F. Nelson, K. Ismail, J. J. Nocera, F. F. Fang, E. E. Mendez, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 61, 64 (1992).
7. K. S. Koteswara Rao, V. Kumar, and S. K. Premachandran, J. Appl. Phys. 69, 2714 (1991).
8. H. Klauk, S. F. Nelson, and T. N. Jackson, Appl. Phys. Lett. 68, 1975 (1996).
9. T. N. Jackson, S. F. Nelson, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, IEEE Trans. Electron Devices 40, 2104 (1993).