GaN quantum dots grown on silicon for free-standing membrane photonic structures

Applied Physics Express

Volumn 2, Issue 5, 2009, Pages

  Sergent, Sylvain ^a,b   Moreno, Jean Christophe ^a   Frayssinet, Eric ^a   Chenot, Sébastien ^a   Leroux, Mathieu ^a   Semond, Fabrice ^a  

^a CNRS   (France)

^b UNIVERSITÉ CÔTE D'AZUR   (France)

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EXCITATION POWER; FREE STANDING MEMBRANES; GAN QUANTUM DOTS; PHOTONIC STRUCTURE; ROOM-TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE; SILICON SUBSTRATES;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CRYSTAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; LIGHT; LIGHT SOURCES; MOLECULAR BEAMS; MOLECULAR DYNAMICS; OPTICAL MICROSCOPY; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WIRES;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 66949142096     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.2.051003     Document Type: Article

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