Electrical transport and ac conductivity properties of hydrogenated annealing V-doped ZnO

Journal of Applied Physics

Volumn 105, Issue 7, 2009, Pages

  Liu, S H ^a   Huang, J C A ^a   Lin, C R ^b   Qi, X ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AC CONDUCTIVITIES; ANNEALING EFFECTS; ANNEALING TEMPERATURES; DOPED-ZNO; ELECTRICAL TRANSPORTS; MICROSTRUCTURAL DEFECTS; ROOM TEMPERATURE FERROMAGNETISMS; VARIABLE RANGE HOPPING; ZNO POWDERS;

ANNEALING; DEFECT DENSITY; ELECTRIC NETWORK ANALYSIS; HYDROGENATION; MAGNETS; POWDERS; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; ZINC OXIDE;

SATURATION MAGNETIZATION;

EID: 65249107799     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3055274     Document Type: Article

References (24)

1. P. Sharma, A. Gupta, K. V. Rao, F. J. Owens, R. Sharma, R. Ahuja, J. M. O. Guillen, B. Johansson, and G. A. Gehring, Nature Mater. 2, 673 (2003).
2. J. R. Neal, A. J. Behan, R. M. Ibrahim, H. J. Blythe, M. Ziese, A. M. Fox, and G. A. Gehring, Phys. Rev. Lett. 96, 197208 (2006).
3. Q. Xu, L. Hartmann, S. Zhou, A. Mcklich, M. Helm, G. Biehne, H. Hochmuth, M. Lorenz, M. Grundmann, and H. Schmidt, Phys. Rev. Lett. 101, 076601 (2008).
4. Z. Yin, N. Chen, C. Chai, and F. Yang, J. Appl. Phys. 96, 5093 (2004).
5. S. Ramachandran, A. Tiwari, and J. Narayan, Appl. Phys. Lett. 84, 5255 (2004).
6. N. H. Hong, J. Sakai, N. T. Huong, N. Poirot, and A. Ruyter, Phys. Rev. B 72, 045336 (2005).
7. H. S. Hsu, J. C. A. Huang, S. F. Chen, and C. P. Liu, Appl. Phys. Lett. 90, 102506 (2007).
8. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
9. R. N. Bhatt, M. Berciu, M. P. Kennett, and X. Wan, J. Supercond. 15, 71 (2002).
10. P. A. Wolff, R. N. Bhatt, and A. C. Durst, J. Appl. Phys. 79, 5196 (1996).
11. H. C. Jeon, T. W. Kang, T. W. Kim, J. Kang, and K. J. Chang, Appl. Phys. Lett. 87, 092501 (2005).
12. Y. D. Park, J. D. Lim, K. S. Suh, S. B. Shim, J. S. Lee, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, Y. S. Kim, Z. G. Khim, and R. G. Wilson, Phys. Rev. B 68, 085210 (2003).
13. K. A. Griffin, A. B. Pakhomov, C. M. Wang, S. M. Heald, and Kannan M. Krishnan, Phys. Rev. Lett. 94, 157204 (2005).
14. H. S. Hsu, J. C. A. Huang, Y. H. Huang, Y. F. Liao, M. Z. Lin, C. H. Lee, J. F. Lee, S. F. Chen, L. Y. Lai, and C. P. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 242507 (2006).
15. H. T. Lin, T. S. Chin, J. C. Shih, S. H. Lin, T. M. Hong, R. T. Huang, F. R. Chen, and J. J. Kai, Appl. Phys. Lett. 85, 621 (2004).
16. A. Manivannan, G. Glaspell, P. Dutta, and M. S. Seehra, J. Appl. Phys. 97, 10D325 (2005).
17. S. H. Liu, H. S. Hsu, C. R. Lin, C. S. Lue, and J. C. A. Huang, Appl. Phys. Lett. 90, 222505 (2007).
18. J. H. Park, M. G. Kim, H. M. Jang, S. Ryu, and Y. M. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 1338 (2004).
19. S. K. Mandal, T. K. Nath, A. Das, and R. K. Kremer, Appl. Phys. Lett. 89, 162502 (2006).
20. A. L. Efros and B. I. Shklovskii, J. Phys. C 8, L49 (1975).
21. Y. Fu, Appl. Phys. Lett. 77, 118 (2000).
22. X. L. Wang, S. X. Dou, H. K. Liu, M. Ionescu, and B. Zeimetz, Appl. Phys. Lett. 73, 396 (1998).
23. Y. Natsume and H. Sakata, Mater. Chem. Phys. 78, 170 (2002).
24. A. N. Papathanassiou, I. Sakellis, and J. Grammatikakis, Appl. Phys. Lett. 91, 122911 (2007).