Room temperature anomalous Hall effect in Co doped ZnO thin films in the semiconductor regime

Applied Physics Letters

Volumn 93, Issue 14, 2008, Pages

  Hsu, H S ^a   Lin, C P ^a   Chou, H ^a   Huang, J C A ^b  

^a NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; COBALT; CONCENTRATION (PROCESS); ELECTRIC CURRENTS; GALVANOMAGNETIC EFFECTS; GYRATORS; HALL EFFECT; SEMICONDUCTING FILMS; THICK FILMS; ZINC OXIDE;

ANOMALOUS HALL EFFECT; CO-DOPED ZNO; ROOM TEMPERATURES; ROOM-TEMPERATURE;

MAGNETIC FIELD EFFECTS;

EID: 53649102872     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3000015     Document Type: Article

References (24)

1. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
2. Y. Matsumoto, M. Murakami, T. Shono, T. Hasegawa, T. Fukumura, M. Kawasaki, P. Ahmet, T. Chikyow, S. Koshihara, and H. Koinuma, Science 291, 854 (2001).
3. K. Ando, Science 312, 1883 (2006).
4. T. Fukumura, Y. Yamada, K. Tamura, K. Nakajima, T. Aoyama, A. Tsukazaki, M. Sumiya, S. Fuke, Y. Segawa, T. Chikyow, T. Hasegawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L105 (2003).
5. K. R. Kittilstved, J. Zhao, W. K. Liu, J. D. Bryan, D. A. Schwartz, and D. R. Gamelin, Appl. Phys. Lett. 89, 062510 (2006).
6. J. R. Neal, A. J. Behan, R. M. Ibrahim, H. J. Blythe, M. Ziese, A. M. Fox, and G. A. Gehring, Phys. Rev. Lett. 96, 197208 (2006).
7. T. Zhao, S. R. Shinde, S. B. Ogale, H. Zheng, T. Venkatesan, R. Ramesh, and S. Das Sarma, Phys. Rev. Lett. 94, 126601 (2005).
8. H. Chou, C. P. Lin, J. C. A. Hunag, and H. S. Hsu, Phys. Rev. B 77, 245210 (2008).
9. C. L. Chien and C. R. Westgate, Hall Effect and Its Applications (Plenum, New York, 1980), pp. 55-76.
10. H. Ohno, Science 281, 951 (1998).
11. H. Toyosaki, T. Fukumura, Y. Yamada, K. Nakajima, T. Chikyow, T. Hasegawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nature Mater. 3, 221 (2004).
12. K. Ueno, T. Fukumura, H. Toyosaki, M. Nakano, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 90, 072103 (2007).
13. R. Ramaneti, J. C. Lodder, and R. Jansen, Appl. Phys. Lett. 91, 012502 (2007).
14. W. Shim, K.-I. Lee, W. Leea, K. A. Jeon, S. Y. Lee, and M. H. Jung, J. Appl. Phys. 101, 123908 (2007).
15. A. J. Behan, A. Mokhtari, H. J. Blythe, D. Score, X.-H. Xu, J. R. Neal, A. M. Fox, and G. A. Gehring, Phys. Rev. Lett. 100, 047206 (2008).
16. D. D. Awschalom and M. E. Flatt́, Nat. Phys. 3, 153 (2007).
17. J. C. A. Huang, H. S. Hsu, Y. M. Hu, C. H. Lee, Y. H. Huang, and M. Z. Lin, Appl. Phys. Lett. 85, 3815 (2004).
18. K. R. Kittilstved, D. A. Schwartz, A. C. Tuan, S. M. Heald, S. A. Chambers, and D. R. Gamelin, Phys. Rev. Lett. 97, 037203 (2006).
19. K. Y. Wang, K. W. Edmonds, L. X. Zhao, M. Sawicki, R. P. Campion, B. L. Gallagher, and C. T. Foxon, Phys. Rev. B 72, 115207 (2005).
20. Q. Xu, H. Schmidt, S. Zhou, K. Potzger, M. Helm, H. Hochmuth, M. Lorenz, A. Setzer, P. Esquinazi, C. Meinecke, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 92, 082508 (2008).
21. H. Ohno, D. Chihu, F. Matsukura, T. Omiya, E. Abe, T. Diehl, Y. Ohno, and K. Ohtani, Nature (London) 408, 944 (2000).
22. S. X. Zhang, W. Yu, S. B. Ogale, S. R. Shinde, D. C. Kundaliya, W.-K. Tse, S. Y. Young, J. S. Higgins, L. G. Salamanca-Riba, M. Herrera, L. F. Fu, N. D. Browning, R. L. Greene, and T. Venkatesan, Phys. Rev. B 76, 085323 (2007).
23. N. F. Mott, Metal Insulator Transitions, 2nd ed. (Taylor & Francis, London, 1990).
24. X.-C. Liu, E.-W. Shi, Z.-Z. Chen, T. Zhang, Y. Zhang, B.-Y. Chen, W. Huang, X. Liu, L.-X. Song, K.-J. Zhou, and M.-Q. Cui, Appl. Phys. Lett. 92, 042502 (2008).