Photovoltaic response of a polymer p-i-n junction

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 23, 2007, Pages

  Zhang, Yanguang ^a   Hu, Yufeng ^a   Gao, Jun ^a  

^a QUEEN S UNIVERSITY   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; ELECTROCHEMISTRY; PHOTOVOLTAIC EFFECTS; POLYMERS; SEMICONDUCTOR DOPING; SHORT CIRCUIT CURRENTS; THERMAL CYCLING;

ELECTROCHEMICAL DOPING; ELECTRON ACCEPTORS; P-I-N JUNCTION; PHOTOVOLTAIC RESPONSE;

SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

EID: 36949022679     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2822993     Document Type: Article

References (28)

1. N. S. Sariciftci, L. Smilowitz, A. J. Heeger, and F. Wudl, Science 258, 1474 (1992).
2. G. Yu, J. Gao, J. C. Hummelen, F. Wudl, and A. J. Heeger, Science 270, 1789 (1995).
3. S. E. Shaheen, C. J. Brabec, N. S. Sariciftci, F. Padinger, T. Fromherz, and J. C. Hummelen, Appl. Phys. Lett. 78, 841 (2001).
4. C. J. Brabec, S. E. Shaheen, C. Winder, N. S. Sariciftci, and P. Denk, Appl. Phys. Lett. 80, 1288 (2002).
5. Y. Kim, S. A. Choulis, J. Nelson, D. D. C. Bradley, S. Cook, and J. R. Durrant, Appl. Phys. Lett. 86, 063502 (2005).
6. J. Y. Kim, S. H. Kim, H. H. Lee, K. Lee, W. L. Ma, X. Gong, and A. J. Heeger, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 18, 572 (2006).
7. C. M. Heller and I. H. Campbell, J. Appl. Phys. 81, 3227 (1997).
8. C. J. Brabec, A. Cravino, D. Meissner, N. S. Sariciftci, T. Fromherz, M. T. Rispens, L. Sanchez, and J. C. Hummelen, Adv. Funct. Mater. 11, 374 (2001).
9. H. Frohne, S. E. Shaheen, C. J. Brabec, D. C. Muller, N. S. Sariciftci, and K. Meerholz, ChemPhysChem 3, 795 (2002).
10. V. D. Mihailetchi, P. W. M. Blom, J. C. Hummelen, and M. T. Rispens, J. Appl. Phys. 94, 6849 (2003).
11. A. Gadisa, M. Svensson, M. R. Andersson, and O. Inganas, Appl. Phys. Lett. 84, 1609 (2004).
12. M. C. Scharber, D. Wuhlbacher, M. Koppe, P. Denk, C. Waldauf, A. J. Heeger, and C. L. Brabec, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 18, 789 (2006).
13. F. B. Kooistra, J. Knol, F. Kastenberg, L. M. Popescu, W. J. H. Verhees, J. M. Kroon, and J. C. Hummelen, Org. Lett. 9, 551 (2007).
14. S. M. Sze, Semiconductor Devices, Physics and Technology (Wiley, New York, 1985), 252.
15. Q. B. Pei, G. Yu, C. Zhang, Y. Yang, and A. J. Heeger, Science 269, 1086 (1995).
16. Q. B. Pei, Y. Yang, G. Yu, C. Zhang, and A. J. Heeger, J. Am. Chem. Soc. 118, 3922 (1996).
17. J. Gao, G. Yu, and A. J. Heeger, Appl. Phys. Lett. 71, 1293 (1997).
18. J. Gao and J. Dane, Appl. Phys. Lett. 83, 3027 (2003).
19. J. H. Shin, A. Dzwilewski, A. Iwasiewicz, S. Xiao, A. Fransson, G. N. Ankah, and L. Edman, Appl. Phys. Lett. 89, 013509 (2006).
20. J. H. Shin and L. Edman, J. Am. Chem. Soc. 128, 15568 (2006).
21. Y. Hu, C. Tracy, and J. Gao, Appl. Phys. Lett. 88, 123507 (2006).
22. Y. G. Zhang, Y. F. Hu, and J. Gao, Appl. Phys. Lett. 88, 163507 (2006).
23. J. Gao, G. Yu, and A. J. Heeger, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 10, 692 (1998).
24. G. Yu, Y. Cao, M. Andersson, J. Gao, and A. J. Heeger, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 10, 385 (1998).
25. S. B. G. and S. K. Banerjee, Solid State Electronic Devices (Pearson Prentice Hall, Upper Saddle River, NJ, 2006), 398.
26. A. L. Holt, J. M. Leger, and S. A. Carter, J. Chem. Phys. 123, 044704 (2005).
27. M. Reyes-Reyes, K. Kim, and D. L. Carroll, Appl. Phys. Lett. 87, 083506 (2005).
28. W. L. Ma, C. Y. Yang, X. Gong, K. Lee, and A. J. Heeger, Adv. Funct. Mater. 15, 1617 (2005).