Effects of hydroxyl groups in gate dielectrics on the hysteresis of organic thin film transistors

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 10, Issue 11, 2007, Pages 347-350

  Gi Choi, Chaun ^a   Bae, Byeong Soo ^a  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FUNCTIONAL GROUPS; HYSTERESIS; SURFACE TREATMENT; THIN FILM TRANSISTORS;

HEXAMETHYLDISILAZANE; HYDROXYL GROUPS; ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR (OTFT);

GATE DIELECTRICS;

EID: 34548506219     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2779946     Document Type: Article

References (29)

1. G. H. Gelink, H. E. Huitema, E. van Veenendaal, E. Cantatore, L. Schrijnemakers, J. B. P. H. Van Der Putten, T. C. T. Geuns, M. Beenhakkers, J. B. Giesbers, B.-H. Huisman, Nat. Mater., 3, 106 (2004).
2. C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. Huang, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Campi, B. K. Greening, Appl. Phys. Lett., 80, 1088 (2002).
3. Z.-T. Zhu, J. T. Mason, R. Dieckmann, and G. G. Malliaras, Appl. Phys. Lett., 81, 4643 (2002).
4. P. F. Baude, D. A. Ender, M. A. Haase, T. W. Kelley, D. V. Muyres, and S. D. Theiss, Appl. Phys. Lett., 82, 3964 (2003).
5. A. Facchetti, M.-H. Yoon, and T. J. Marks, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.), 17, 1705 (2005).
6. T. Jung, A. Dodabalapur, R. Wenz, and S. Mohapatra, Appl. Phys. Lett., 87, 182109 (2005).
7. C. A. Lee, D. W. Park, S. H. Jin, I. H. Park, J. D. Lee, and B.-G. Park, Appl. Phys. Lett., 88, 252102 (2006).
8. J. Park, S. Y. Park, S.-O. Shim, H. Kang, and H. H. Lee, Appl. Phys. Lett., 85, 3283 (2004).
9. S. Lee, B. Koo, J. Shin, E. Lee, H. Park, and H. Kim, Appl. Phys. Lett., 88, 162109 (2006).
10. D. B. A. Rep, A. F. Morpurgo, W. G. Sloof, and T. M. Klapwijk, J. Appl. Phys., 93, 2082 (2003).
11. L. Chua, J. Zaumseil, J. Chang, E. W. Ou, P. H. Ho, H. Sirringhaus, and R. Friend, Nature (London), 434, 194 (2005).
12. (a) E. S. Kang, T. H. Lee, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1501448, 81, 1438 (2002); (b) O. H. Park, S. Y. Seo, J. H. Shin, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1570919, 82, 2787 (2003); (c) W. S. Kim, K. S. Kim, Y. J. Eo, K. B. Yoon, and B. S. Bae, J. Mater. Chem. 0959-9428 10.1039/b412419g, 15, 465 (2005); (d) D. J. Kang, W. S. Kim, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1992672, 87, 021106 (2005); (e) D. J. Kang, J. K. Kim, and B. S. Bae, Opt. Express, 12, 3947 (2004).
13. (a) E. S. Kang, T. H. Lee, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1501448, 81, 1438 (2002); (b) O. H. Park, S. Y. Seo, J. H. Shin, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1570919, 82, 2787 (2003); (c) W. S. Kim, K. S. Kim, Y. J. Eo, K. B. Yoon, and B. S. Bae, J. Mater. Chem. 0959-9428 10.1039/b412419g, 15, 465 (2005); (d) D. J. Kang, W. S. Kim, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1992672, 87, 021106 (2005); (e) D. J. Kang, J. K. Kim, and B. S. Bae, Opt. Express, 12, 3947 (2004).
14. (a) E. S. Kang, T. H. Lee, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1501448, 81, 1438 (2002); (b) O. H. Park, S. Y. Seo, J. H. Shin, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1570919, 82, 2787 (2003); (c) W. S. Kim, K. S. Kim, Y. J. Eo, K. B. Yoon, and B. S. Bae, J. Mater. Chem. 0959-9428 10.1039/b412419g, 15, 465 (2005); (d) D. J. Kang, W. S. Kim, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1992672, 87, 021106 (2005); (e) D. J. Kang, J. K. Kim, and B. S. Bae, Opt. Express, 12, 3947 (2004).
15. (a) E. S. Kang, T. H. Lee, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1501448, 81, 1438 (2002); (b) O. H. Park, S. Y. Seo, J. H. Shin, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1570919, 82, 2787 (2003); (c) W. S. Kim, K. S. Kim, Y. J. Eo, K. B. Yoon, and B. S. Bae, J. Mater. Chem. 0959-9428 10.1039/b412419g, 15, 465 (2005); (d) D. J. Kang, W. S. Kim, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1992672, 87, 021106 (2005); (e) D. J. Kang, J. K. Kim, and B. S. Bae, Opt. Express, 12, 3947 (2004).
16. (a) E. S. Kang, T. H. Lee, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1501448, 81, 1438 (2002); (b) O. H. Park, S. Y. Seo, J. H. Shin, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1570919, 82, 2787 (2003); (c) W. S. Kim, K. S. Kim, Y. J. Eo, K. B. Yoon, and B. S. Bae, J. Mater. Chem. 0959-9428 10.1039/b412419g, 15, 465 (2005); (d) D. J. Kang, W. S. Kim, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1992672, 87, 021106 (2005); (e) D. J. Kang, J. K. Kim, and B. S. Bae, Opt. Express, 12, 3947 (2004).
17. R. Buestrich, F. Kahlenberg, M. Popall, P. Dannberg, R. Müller-Fiedler, and O. Rösch, J. Sol-Gel Sci. Technol., 20, 181 (2001).
18. (a) Y. J. Eo, T. H. Lee, S. Y. Kim, J. K. Kang, Y. S. Han, and B. S. Bae, J. Polym. Sci., Part B: Polym. Phys. 0887-6266 10.1002/polb.20346, 43, 827 (2005); (b) Y. J. Eo, J. H. Kim, J. H. Ko, and B. S. Bae, J. Mater. Res., 20, 401 (2005).
19. (a) Y. J. Eo, T. H. Lee, S. Y. Kim, J. K. Kang, Y. S. Han, and B. S. Bae, J. Polym. Sci., Part B: Polym. Phys. 0887-6266 10.1002/polb.20346, 43, 827 (2005); (b) Y. J. Eo, J. H. Kim, J. H. Ko, and B. S. Bae, J. Mater. Res., 20, 401 (2005).
20. Z. Bao, V. Kuck, J. A. Rogers, and M. A. Paczkowski, Adv. Funct. Mater., 12, 526 (2002).
21. S. Jeong, D. Kim, B.-K. Park, and J. Moon, Appl. Phys. Lett., 89, 092101 (2006).
22. U. Hass, A. Haase, V. Satzinger, H. Pichler, G. Leising, G. Jakopic, B. Stadlober, R. Houbertz, G. Domann, and A. Schmitt, Phys. Rev. B, 73, 235339 (2006).
23. T. Kawahara, T. Ishida, H. Tada, N. Noma, N. Tohge, and S. Ito, J. Mater. Sci., 38, 1703 (2003).
24. S. W. Pyo, D. H. Lee, J. R. Koo, J. H. Kim, J. H. Shim, J. S. Kim, and Y. K. Kim, Synth. Met., 154, 141 (2005).
25. J. Park, S. Y. Park, S.-O. Shim, H. Kang, and H. H. Lee, Appl. Phys. Lett., 85, 3283 (2004).
26. H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, W. Radlik, and W. Weber, J. Appl. Phys., 92, 5259 (2002).
27. L. L. Chua, P. K. H. Ho, H. Sirringhaus, and R. H. Friend, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.), 16, 1609 (2004).
28. C. K. Song, B. W. Koo, S. B. Lee, and D. H. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 41, 2730 (2002).
29. S. Jeong, D. Kim, B. K. Park, S. Lee, and J. Moon, Nanotechnology, 18, 025204 (2007).