Dember effect induced photovoltage in perovskite p-n heterojunctions

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 8, 2007, Pages

  Jin, Kui Juan ^a   Zhao, Kun ^b   Lu, Hui Bin ^a   Liao, Leng ^a   Yang, Guo Zhen ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

^b CHINA UNIVERSITY OF PETROLEUM   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LASER BEAM EFFECTS; MATHEMATICAL MODELS; PEROVSKITE; SILICON;

DEMBER EFFECT; LATERAL PHOTOVOLTAGE (LPV);

HETEROJUNCTIONS;

EID: 34548257880     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2772772     Document Type: Article

References (18)

1. T. Muramatsu, Y. Muraoka, and Z. Hiroi, Solid State Commun. 132, 351 (2004).
2. Y. H. Huang, M. He, K. Zhao, H. F. Tian, H. B. Lu, K.-J. Jin, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, J. Q. Li, and G. Z. Yang, Chin. Phys. Lett. 0256-307X 10.1088/0256-307X/22/11/062 22, 2950 (2005); H. B. Lu, K.-J. Jin, Y. H. Huang, M. He, K. Zhao, B. L. Cheng, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, S. Y. Dai, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1946901 86, 241915 (2005); K. Zhao, Y. H. Huang, Q. L. Zhou, K.-J. Jin, H. B. Lu, M. He, B. L. Cheng, Y. L. Zhou, Z. H. Chen, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 86, 221917 (2005).
3. Y. H. Huang, M. He, K. Zhao, H. F. Tian, H. B. Lu, K.-J. Jin, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, J. Q. Li, and G. Z. Yang, Chin. Phys. Lett. 0256-307X 10.1088/0256-307X/22/11/062 22, 2950 (2005); H. B. Lu, K.-J. Jin, Y. H. Huang, M. He, K. Zhao, B. L. Cheng, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, S. Y. Dai, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1946901 86, 241915 (2005); K. Zhao, Y. H. Huang, Q. L. Zhou, K.-J. Jin, H. B. Lu, M. He, B. L. Cheng, Y. L. Zhou, Z. H. Chen, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 86, 221917 (2005).
4. Y. H. Huang, M. He, K. Zhao, H. F. Tian, H. B. Lu, K.-J. Jin, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, J. Q. Li, and G. Z. Yang, Chin. Phys. Lett. 0256-307X 10.1088/0256-307X/22/11/062 22, 2950 (2005); H. B. Lu, K.-J. Jin, Y. H. Huang, M. He, K. Zhao, B. L. Cheng, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, S. Y. Dai, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1946901 86, 241915 (2005); K. Zhao, Y. H. Huang, Q. L. Zhou, K.-J. Jin, H. B. Lu, M. He, B. L. Cheng, Y. L. Zhou, Z. H. Chen, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 86, 221917 (2005).
5. K. Zhao, K.-J. Jin, H. B. Lu, Y. H. Huang, Q. L. Zhou, M. He, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 88, 141914 (2006).
6. W. Schottky, Phys. Z. 31, 913 (1930).
7. J. T. Wallmark, Proc. IRE 45, 474 (1957).
8. G. Lucovsky, J. Appl. Phys. 31, 1088 (1960).
9. H. Niu, T. Matsuda, and H. Sadamatsu, Jpn. J. Appl. Phys. 15, 601 (1976).
10. S. Amari, J. Phys. III 1, 1669 (1991).
11. J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NJ, 1971), 14, 320.
12. P. Gu, M. Tani, S. Kono, K. Sakai, and X.-C. Zhang, J. Appl. Phys. 91, 5533 (2002).
13. R. Kersting, K. Unterrainer, G. Strasser, H. F. Kauffmann, and E. Gornik, Phys. Rev. Lett. 79, 3038 (1997).
14. R. Ascazubi, I. Wilke, K. J. Kim, and Partha Dutta, Phys. Rev. B 74, 075323 (2006).
15. Maja Krčmar and Wayne M. Saslow, Phys. Rev. B 65, 233313 (2002).
16. G. Z. Yang, H. B. Lu, F. Chen, T. Zhao, and Z. H. Chen, J. Cryst. Growth 0022-0248 227-228, 929 (2001); H. B. Lu, G. Z. Yang, Z. H. Chen, S. Y. Dai, Y. L. Zhou, K. J. Jin, B. L. Cheng, M. He, L. F. Liu, H. Z. Guo, Y. Y. Fei, W. F. Xiang, and L. Yan, Appl. Phys. Lett. 84, 5007 (2004).
17. G. Z. Yang, H. B. Lu, F. Chen, T. Zhao, and Z. H. Chen, J. Cryst. Growth 0022-0248 227-228, 929 (2001); H. B. Lu, G. Z. Yang, Z. H. Chen, S. Y. Dai, Y. L. Zhou, K. J. Jin, B. L. Cheng, M. He, L. F. Liu, H. Z. Guo, Y. Y. Fei, W. F. Xiang, and L. Yan, Appl. Phys. Lett. 84, 5007 (2004).
18. K. Zhao, K.-J. Jin, Y. H. Huang, S. Q. Zhao, H. B. Lu, M. He, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 89, 173507 (2006).