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Volumn 101, Issue 11, 2007, Pages

High-pressure Raman study of Ba doped type-III germanium clathrate Ba24 Ge100 up to 26 GPa

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AMORPHOUS MATERIALS; BARIUM; DOPING (ADDITIVES); HIGH PRESSURE EFFECTS; PHASE TRANSITIONS; RAMAN SCATTERING;

EID: 34250668455     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2743877     Document Type: Article
Times cited : (11)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.