Electronic structure and ferromagnetic properties of Cu-doped AlN from first principles

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 11, 2007, Pages

  Jia, Wei ^b   Han, Peide ^b   Chi, Mei ^b   Dang, Suihu ^b   Xu, Bingshe ^a   Liu, Xuguang ^a  

^a TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; COPPER; DENSITY FUNCTIONAL THEORY; ELECTRONIC STRUCTURE; FERROMAGNETISM; MAGNETIC SEMICONDUCTORS; MAGNETOELECTRONICS; SEMICONDUCTOR DOPING; SPIN POLARIZATION;

CONDUCTION CARRIERS; FIRST-PRINCIPLES METHOD; HYBRIDIZATION MECHANISM;

ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 34250629311     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2745282     Document Type: Article

References (41)

1. H. Ohno, Science 281, 951 (1998).
2. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
3. T. Dietl, Semicond. Sci. Technol. 17, 377 (2002).
4. T. Sasaki, S. Sonoda, Y. Yamamoto, K. Suga, S. Shimizu, K. Kindo, and H. Hori, J. Appl. Phys. 91, 7911 (2002).
5. D. Kumar, J. Antifakos, M. G. Blamire, and Z. H. Barber, Appl. Phys. Lett. 84, 5004 (2004).
6. S. Y. Wu, H. X. Liu, L. Gu, R. K. Singh, L. Budd, M. van Schilfgaarde, M. R. McCartney, D. J. Smith, and N. Newman, Appl. Phys. Lett. 82, 3047 (2003).
7. R. M. Frazier, G. T. Thaler, J. Y. Leifer, J. K. Hite, B. P. Gila, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 86, 052101 (2005).
8. J. Zhang, X. Z. Li, B. Xu, and D. J. Sellmyer, Appl. Phys. Lett. 86, 212504 (2005).
9. K. Ueda, H. Tabata, and T. Kawai, Appl. Phys. Lett. 79, 988 (2001).
10. S. W. Jung, S.-J. An, G.-C. Yi, C. U. Jung, S.-I. Lee, and S. Cho, Appl. Phys. Lett. 80, 4561 (2002).
11. Q. Wang, Q. Sun, P. Jena, and Y. Kawazoe, Phys. Rev. Lett. 93, 155501 (2004).
12. S. Kolesnik and B. Dabrowski, J. Appl. Phys. 96, 5379 (2004).
13. G. Lawes, A. S. Risbud, A. P. Ramirez, and R. Seshadri, Phys. Rev. B 71, 045201 (2005).
14. D. B. Buchholz, R. P. H. Chang, J. H. Song, and J. B. Ketterson, Appl. Phys. Lett. 87, 082504 (2005).
15. C. R. Cho, J. Y. Hwang, J. P. Kim, S. Y. Jeong, M. S. Jang, W. J. Lee, and D. H. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L1383 (2004).
16. T. S. Herng, S. P. Lau, S. F. Yu, H. Y. Yang, X. H. Ji, J. S. Chen, N. Yasui, and H. Znaba, J. Appl. Phys. 99, 086101 (2006).
17. L. H. Ye, A. J. Freeman, and B. Delley, Phys. Rev. B 73, 033203 (2006).
18. M. S. Park and B. I. Min, Phys. Rev. B 68, 224436 (2003).
19. N. A. Spaldin, Phys. Rev. B 69, 125201 (2004).
20. X. Feng, J. Phys.: Condens. Matter 16, 4251 (2004).
21. C. H. Chien, S. H. Chiou, G. Y. Gao, and Y. D. Yao, J. Magn. Magn. Mater. 282, 275 (2004).
22. D. B. Buchholz, R. P. H. Chang, J. H. Song, and J. B. Ketterson, Appl. Phys. Lett. 87, 082504 (2005).
23. R. Q. Wu, G. W. Peng, L. Liu, Y. P. Feng, Z. G. Huang, and Q. Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 89, 062505 (2006).
24. K. Osuch, E. B. Lombardi, and L. Adamowicz, Phys. Rev. B 71, 165213 (2005).
25. R. Q. Wu, G. W. Peng, L. Liu, Y. P. Feng, Z. G. Huang, and Q. Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 89, 142501 (2006).
26. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
27. A. L. Martin, C. M. Spalding, V. I. Dimitrova, P. G. Van Patten, M. L. Caldwell, M. E. Kordesch, and H. H. Richardson, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1894 (2001).
28. D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 41, 7892 (1990).
29. M. D. Segall, P. L. D. Lindan, M. J. Probert, C. J. Pickard, P. J. Hasnip, S. J. Clark, and M. C. Payne, J. Phys.: Condens. Matter 14, 2717 (2002).
30. J. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
31. H. J. Monkhorst and J. D. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
32. L. Kronik, M. Jain, and J. R. Chelikowsky, Phys. Rev. B 66, 041203 (2002).
33. A. Rubio, J. L. Corkill, M. L. Cohen, E. L. Shirley, and S. G. Louie, Phys. Rev. B 48, 11810 (1993).
34. See, for example, J. R. Chelikowsky and M. L. Cohen, in Handbook on Semiconductors, 2nd ed., edited by, T. S. Moss, (Elsevier, Amsterdam, 1992); W. E. Pickett, Comput. Phys. Rep. 9, 115 (1989).
35. See, for example, J. R. Chelikowsky and M. L. Cohen, in Handbook on Semiconductors, 2nd ed., edited by, T. S. Moss, (Elsevier, Amsterdam, 1992); W. E. Pickett, Comput. Phys. Rep. 9, 115 (1989).
36. P. Gopal and N. A. Spaldin, Phys. Rev. B 74, 094418 (2006).
37. L. Bergqvist, O. Erisksson, J. Kudrnovsky, V. Drchal, P. Korzhavyi, and I. Turek, Phys. Rev. Lett. 93, 137202 (2004).
38. K. Sato, W. Schweika, P. H. Dederichs, and H. K. Yoshida, Phys. Rev. B 70, 201202 (2004).
39. K. Sato, P. H. Dederichs, and H. Katayama-Yoshida, Europhys. Lett. 61, 403 (2003).
40. K. Sato, H. K. Yoshida, and P. H. Dederichs, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L948 (2005).
41. T. Fukushima, K. Sato, H. K. Yoshida, and P. H. Dederichs, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 45, L416 (2006).