Dimensional transition of Cdx Zn1-x Te nanostructures grown on ZnTe layers

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 18, 2007, Pages

  Lee, H S ^a   Park, H L ^a   Kim, T W ^b  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CADMIUM COMPOUNDS; CRYSTAL GROWTH; NANOSTRUCTURES; PHASE TRANSITIONS; ZINC COMPOUNDS;

DIMENSIONAL TRANSITION; MOLE FRACTION; PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 34247855082     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2734479     Document Type: Article

References (22)

1. Y. Toda, O. Moriwaki, M. Nishioka, and Y. Arakawa, Phys. Rev. Lett. 82, 4114 (1999).
2. W. G. van der Wiel, S. De Franceschi, J. M. Elzerman, S. Tarucha, L. P. Kouwenhoven, J. Motohisa, F. Nakajima, and T. Fukui, Phys. Rev. Lett. 88, 126803 (2002).
3. X. Y. Kong, Y. Ding, R. Yang, and Z. L. Wang, Science 303, 1348 (2004).
4. K. A. Alim, V. A. Fonoberov, and A. A. Balandin, Appl. Phys. Lett. 86, 053103 (2005).
5. S. C. Erwin, L. Zu, M. I. Haftel, A. L. Efros, T. A. Kennedy, and D. J. Norris, Nature (London) 436, 91 (2005).
6. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. D. Yang, Science 292, 1897 (2001).
7. S. C. Erwin, L. Zu, M. I. Haftel, A. L. Efros, T. A. Kennedy, and D. J. Norris, Nature (London) 436, 91 (2005).
8. A. F. Van Driel, G. Allan, C. Delerue, P. Lodahl, W. L. Vos, and D. Vanmaekelbergh, Phys. Rev. Lett. 95, 236804 (2005).
9. H. Kirmse, R. Schneider, M. Rabe, W. Neumann, and F. Henneberger, Appl. Phys. Lett. 72, 1329 (1998).
10. G. Karczewski, S. Maćkowski, M. Kutrowski, T. Wojtowicz, and J. Kossut, Appl. Phys. Lett. 74, 3011 (1999).
11. T. W. Kim, E. H. Lee, K. H. Lee, J. S. Kim, and H. L. Park, Appl. Phys. Lett. 84, 595 (2004).
12. S. Mackowski, T. Gurung, H. E. Jackson, L. M. Smith, W. Heiss, J. Kossut, and G. Karczewski, Appl. Phys. Lett. 86, 103101 (2005).
13. T. W. Kim, K. H. Lee, and H. L. Park, Appl. Phys. Lett. 72, 563 (1998).
14. Y. Terai, S. Kuroda, K. Takita, T. Okuno, and Y. Masumoto, Appl. Phys. Lett. 73, 3757 (1998).
15. S. Mackowski, H. E. Jackson, L. M. Smith, W. Heiss, J. Kossut, and G. Karczewski, Appl. Phys. Lett. 83, 254 (2003).
16. H. S. Lee, H. L. Park, and T. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 85, 5598 (2004).
17. Y. Chen, T. Okuno, Y. Masumoto, Y. Terai, S. Kuroda, and K. Takita, Phys. Rev. B 71, 033314 (2005).
18. T. W. Kim, H. S. Lee, and H. L. Park, Appl. Phys. Lett. 88, 043111 (2006).
19. T. W. Kim, D. C. Choo, D. U. Lee, H. S. Lee, M. S. Jang, and H. L. Park, Appl. Phys. Lett. 81, 487 (2002).
20. See, for example, E. W. Williams and H. B. Bebb, in Semiconductors and Semimetals, edited by, R. K. Willardson, and, A. C. Beer, (Academic, New York, 1992), Vol. 8, p. 321.
21. D. Birkedal, J. Singh, V. G. Lyssenko, J. Erland, and J. M. Hvam, Phys. Rev. Lett. 76, 672 (1996).
22. R. C. Miller, D. A. Kleinman, A. C. Gossard, and O. Munteanu, Phys. Rev. B 25, 6545 (1982).