Low loss contacts for organic semiconductor lasers

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 16, 2006, Pages

  Gorrn P ^a   Rabe, T ^a   Riedl, T ^a   Kowalsky, W ^a   Galbrecht, F ^b   Scherf, U ^b  

^a TECHNICAL UNIVERSITY OF BRAUNSCHWEIG   (Germany)

^b UNIVERSITY OF WUPPERTAL   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC CHARGE; ELECTRIC PROPERTIES; INORGANIC POLYMERS; WAVEGUIDES;

CHARGE INJECTION; ORGANIC LASERS; ORGANIC SPACERS; POLYMER ACTIVE LAYERS;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 33750145915     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2360936     Document Type: Article

References (20)

1. H. Nakatonani, T. Oyamada, Y. Kawamura, H. Sasabe, and C. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 3659 (2005).
2. W. Kowalsky, T. Rabe, D. Schneider, H. H. Johannes, C. Karnutsch, M. Gerken, U. Lemmer, J. Wang, T. Weimann, P. Hinze, and T. Riedl, Proc. SPIE 6008, 194 (2005).
3. P. Andrew, G. A. Turnbull, I. D. W. Samuel, and W. L. Barnes, Appl. Phys. Lett. 81, 954 (2002).
4. M. Reufer, S. Riechel, J. M. Lupton, J. Feldmann, U. Lemmer, D. Schneider, T. Benstem, T. Dobbertin, W. Kowalsky, A. Gombert, K. Forberich, V. Wittwer, and U. Scherf, Appl. Phys. Lett. 84, 3262 (2004).
5. M. Reufer, J. Feldmann, P. Rudati, A. Ruhl, D. Müller, K. Meerholz, C. Karnutsch, M. Gerken, and U. Lemmer, Appl. Phys. Lett. 86, 221102 (2005).
6. V. G. Kozlov, G. Parthasarathy, P. E. Burrows, V. B. Khalfin, J. Wang, S. Y. Chou, and S. R. Forrest, IEEE J. Quantum Electron. 36, 18 (2000).
7. H. Yamamoto, T. Oyamada, H. Sasabe, and C. Adachi, Appl. Phys. Lett. 84, 1401 (2004).
8. H. Kim, C. M. Gilmore, J. S. Horwitz, A. Piqú, H. Murata, G. P. Kushto, R. Schlaf, Z. H. Kafafi, and D. B. Chrisey, Appl. Phys. Lett. 76, 259 (2000).
9. T. Rabe, M. Hoping, D. Schneider, E. Becker, H.-H. Johannes, W. Kowalsky, T. Weimann, J. Wang, P. Hinze, B. S. Nehls, U. Scherf, T. Farrell, and T. Riedl, Adv. Funct. Mater. 15, 1188 (2005).
10. P. Görrn, M. Sander, J. Meyer, M. Kröger, E. Becker, H.-H. Johannes, W. Kowalsky, and T. Riedl, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 17, 738 (2006).
11. D. Vaufrey, M. Ben Khalifa, J. Tardy, C. Ghica, M. G. Blanchin, C. Sandu, and J. A. Roger, Semicond. Sci. Technol. 18, 253 (2003).
12. D. G. J. Sutherland, J. A. Carlisle, P. Elliker, G. Fox, T. W. Hagler, I. Jimenez, H. W. Lee, K. Pakbaz, L. J. Terminello, S. C. Williams, F. J. Himpsel, D. K. Shuh, W. M. Tong, J. J. Jia, T. A. Callcott, and D. L. Ederer, Appl. Phys. Lett. 68, 2046 (1996).
13. T. Rabe, P. Görrn, K. Gerlach, T. Riedl, and W. Kowalsky (unpublished).
14. M. Berggren, A. Dodabalapur, R. E. Slusher, and Z. Bao, Nature (London) 389, 466 (1997).
15. G. Heliotis, D. D. C. Bradley, G. A. Turnbull, and I. D. W. Samuel, Appl. Phys. Lett. 81, 415 (2002).
16. K. L. Shaklee, R. E. Nahory, and R. F. Leheny, J. Lumin. 7, 284 (1973).
17. Y. Qu, T. A. Gessert, K. Ramanathan, R. G. Dhere, R. Noufi, and T. J. Coutts, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 996 (1993).
18. C. Agashe, O. Kluth, J. Hüpkes, U. Zastrow, B. Rech, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 95, 1911 (2004).
19. X. Jiang, F. L. Wong, M. K. Fung, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 83, 1875 (2003).
20. J. Huang, M. Pfeiffer, A. Werner, J. Blochwitz, K. Leo, and S. Liu, Appl. Phys. Lett. 80, 139 (2002).