Synthesis of gallium oxide nanostructures and their structural properties

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 49, Issue 3, 2006, Pages 1152-1155

  Choi, Young Jin ^a   Moon, Sook Young ^a   Park, Jae Hwan ^a   Park, Jae Gwan ^a   Nahm, Sahn ^b  

^a Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

^b Korea University   (South Korea)

Author keywords

Ga2O3; Nanostructure; VLS; VS

Indexed keywords

EID: 33749869006     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (25)

1. Y. Xia, P. Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim and H. Yan, Adv. Mater. 15, 353 (2003).
2. S. T. Lee, Y. F. Zhang, N. Wang, Y. H. Tang, I. Bello, C. S. Lee and Y. W. Chung, J. Mater. Res. 14, 4503 (1999).
3. H. S. Nalwa, Encyclopedia of Nanosci. and Nanotechnol. 10, 327 (2004).
4. X. F. Duan and C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc. 122, 188 (2000).
5. Y. B. Li, Y. Bando, T. Sato and K. Kurashima, Appl. Phys. Lett. 81, 144 (2002).
6. C. H. Liang, G. W. Meng, Y. Lei, F. Philipp and L. D. Zhang, Adv. Mater. 13, 1330 (2001).
7. L. Guo, Y. Liang and H. Xu, J. Am. Chem. Soc. 124, 14864 (2002).
8. U. Hoefer, J. Frank and M. Fleischer, Sensors Actuators B 78, 6 (2001).
9. Y. C. Choi, W. S. Kim, Y. S. Park, S. M. Lee, D. J. Bae, Y. H. Lee, G. S. Park, W. B. Choi, N. S. Lee and J. M. Kim, Adv. Mater. 12, 746 (2000).
10. B. C. Kim, K. T. Sun, K. S. Park, K. J. Im, T. Noh, M.Y. Sung, S. Kim, S. Nahm, Y. N. Choi and S. S. Park, Appl. Phys. Lett. 80, 479 (2002).
11. C. H. Liang, G. W. Meng, G. Z. Wang, L. D. Zhang and S. Y. Zhang, Appl. Phys. Lett. 78, 3202 (2001).
12. H. Z. Zhang, Y. C. Kong, Y. Z. Wang, X. Du, Z. G. Bai, J. J. Wang, D. P. Yu, Y. Ding, Q. L. Hang and S. Q. Feng, Solid State Commun. 109, 677 (1999).
13. C. C. Tang, S. S. Fan, M. L. de la Chapelle and P. Li, Chem. Phys. Lett. 333, 12 (2001).
14. Y. H. Gao, Y. Bando, T. Sato, Y. F. Zhang and X. Q. Gao, Appl. Phys. Lett. 81, 2267 (2002).
15. G. Gundiah, A. Govindaraj and C. N. R. Rao, Chem. Phys. Lett. 351, 189 (2002).
16. J. Zhang and F. Jiang, Chem. Phys. 289, 243 (2003).
17. G. Gundiah, A. Govindaraj and C. N. R. Rao, J. Chem. Phys. Lett. 351, 189 (2002).
18. G. Blasse and A. Bril, J. Phys. Chem. Solids 31, 707 (1970).
19. T. Harwing and F. Kellendouk, J. Solid State Chem. 24, 255 (1978).
20. V. I. Vasiltasiv, Y. M. Zakharko and Y. I. Prim, Ukr. Fiz. Zh. 33, 1320 (1988).
21. L. Binet and D. Gourier, J. Phys. Chem. Solids 59, 1241 (1998).
22. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
23. Z. W. Pan, Z. R. Dai and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
24. J. H. Park, H. J. Choi, Y. J. Choi, S. H. Sohn and J. G. Park, J. Mater. Chem. 14, 1 (2004).
25. J. H. Park, H. J. Choi and J. G. Park, J. Korean Phys. Soc. 45, 729 (2004).