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Volumn 203, Issue 11, 2006, Pages 2603-2608

Growth of high-quality CuGaSe 2 thin films using ionized Ga precursor

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CRYSTALLINITY; MIGRATION ENERGY; PRECURSORS;

EID: 33749022754     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200669640     Document Type: Article
Times cited : (3)

References (10)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.