Backward diodelike behavior in La0.67 Ca0.33 Mn O3-δ SrTi O3 Nb-SrTi O3 p-i-n junction

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 21, 2006, Pages

  Xiao, Y S ^a   Zhang, X P ^a   Zhao, Y G ^a  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC CURRENTS; ELECTRON TUNNELING; PULSED LASER DEPOSITION; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SEMICONDUCTOR LASERS;

BACKWARD DIODELIKE BEHAVIOR; SRTI O3 NB-SRTI O3 P-I-N JUNCTION; TUNNELING PROCESS;

LANTHANUM COMPOUNDS;

EID: 33744511950     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2206698     Document Type: Article

References (13)

1. H. Tanaka, J. Zhang, and T. Kawai, Phys. Rev. Lett. 88, 027204 (2002).
2. M. Sugiura, K. Uragou, M. Noda, M. Tachiki, and T. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 2675 (1999).
3. H. B. Lu, S. Y. Dai, Z. H. Chen, L. F. Liu, H. Z. Gou, W. F. Xiang, Y. Y. Fei, M. He, Y. L. Zhou, and G. Z. Yang, Chin. Phys. Lett. 0256-307X 10.1088/0256-307X/20/1/341 20, 137 (2003); H. B. Lu, S. Y. Dai, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, B. L. Cheng, K. J. Jin, L. F. Liu, G. Z. Yang, and X. L. Ma, Appl. Phys. Lett. 86, 032502 (2005).
4. H. B. Lu, S. Y. Dai, Z. H. Chen, L. F. Liu, H. Z. Gou, W. F. Xiang, Y. Y. Fei, M. He, Y. L. Zhou, and G. Z. Yang, Chin. Phys. Lett. 0256-307X 10.1088/0256-307X/20/1/341 20, 137 (2003); H. B. Lu, S. Y. Dai, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, B. L. Cheng, K. J. Jin, L. F. Liu, G. Z. Yang, and X. L. Ma, Appl. Phys. Lett. 86, 032502 (2005).
5. J. R. Sun, C. M. Xiong, T. Y. Zhao, S. Y. Zhang, Y. F. Chen, and B. G. Shen, Appl. Phys. Lett. 84, 1528 (2004).
6. P. L. Lang, Y. G. Zhao, B. Yang, X. L. Zhang, J. Li, P. Wang, and D. N. Zheng, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2006980 87, 053502 (2005); C. M. Xiong, Y. G. Zhao, B. T. Xie, P. L. Lang, and K. J. Jin, Appl. Phys. Lett. 88, 193507 (2006).
7. P. L. Lang, Y. G. Zhao, B. Yang, X. L. Zhang, J. Li, P. Wang, and D. N. Zheng, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2006980 87, 053502 (2005); C. M. Xiong, Y. G. Zhao, B. T. Xie, P. L. Lang, and K. J. Jin, Appl. Phys. Lett. 88, 193507 (2006).
8. A. Biswas, M. Rajeswari, R. C. Srivastava, Y. H. Li, T. Venkatesan, R. L. Greene, and A. J. Millis, Phys. Rev. B 61, 9665 (2000).
9. M. Bibes, L.I. Balcells, S. Valencia, and J. Fontcuberta, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.87.067210 87, 067210 (2001); M. Bibes, L1. Balcells, S. Valencia, B. Martinez, J. Fontcuberta, M. Wojcik, S. Nadolski, and E. Jedryka, Phys. Rev. B 66, 134416 (2002).
10. M. Bibes, L.I Balcells, S. Valencia, and J. Fontcuberta, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.87.067210 87, 067210 (2001); M. Bibes, L1. Balcells, S. Valencia, B. Martinez, J. Fontcuberta, M. Wojcik, S. Nadolski, and E. Jedryka, Phys. Rev. B 66, 134416 (2002).
11. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Device (Wiley, New York, 1981).
12. T. Kudo, M. Tachiki, T. Kashiwai, and T. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L999 (1998).
13. X. P. Zhang, B. T. Xie, Y. S. Xiao, B. Yang, P. L. Lang, and Y. G. Zhao, Appl. Phys. Lett. 87, 072506 (2005).