High sensitivity of positive magnetoresistance in low magnetic field in perovskite oxide p-n junctions

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 3, 2005, Pages 1-3

  Lu, H B ^a   Dai, S Y ^a   Chen, Z H ^a   Zhou, Y L ^a   Cheng, B L ^a   Jin, K J ^a   Liu, L F ^a   Yang, G Z ^a   Ma, X L ^b  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

^b INSTITUTE OF METAL RESEARCH   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRIC RESISTANCE; HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY; MAGNETIC FIELDS; MAGNETORESISTANCE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SENSITIVITY ANALYSIS; STRONTIUM COMPOUNDS; SUBSTRATES; SWITCHING; THIN FILMS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

COLOSSAL MAGNETORESISTANCE (CMR); LASER MOLECULAR-BEAM EPITAXY (LASER MBE); MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS (MTJ); PEROVSKITE OXIDE MATERIALS;

PEROVSKITE;

EID: 17044438638     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1850192     Document Type: Article

References (17)

1. C. Mitra, P. Raychaudhuri, K. Dorr, K. H. Muller, L. Schultz, P. M. Oppeneer, and S. Wirth, Phys. Rev. Lett. 90, 17202 (2003).
2. C. Mitra, G. Kobernik, K. Dorr, K. H. Muller, L. Schultz, P. Raychaudhuri, R. Pinto, and E. Wieser, J. Appl. Phys. 91, 7715 (2002).
3. C. Mitra, P. Raychaudhuri, G. Kobernik, K. Dorr, K. H. Muller, L. Schultz, and R. Pinto, Appl. Phys. Lett. 79, 2408 (2001).
4. K. Ghosh, S. B. Ogale, S. P. Pai, M. Robson, E. Li, I. Jin, Z. W. Dong, R. L. Greene, R. Ramesh, T. Venkatesan, and M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 73, 689 (1998).
5. T. Obata, T. Manako, Y. Shimakawa, and Y. Kubo, Appl. Phys. Lett. 74, 290 (1999).
6. J. O'Donnell, A. E. Andrus, S. Oh. E. V. Colla, and J. N. Eckstein, Appl. Phys. Lett. 76, 1914 (2000).
7. J. Z. Sun, D. W. Abraham, K. Poche, and S. S. P. Parkin, Appl. Phys. Lett. 73, 1008 (1998).
8. W. J. Gallagher, S. S. P. Parkin, Y. Lu, X. P. Bian, A. Marley, K. P. Roche, A. Altman, S. A. Rishton, C. Jahnes, T. M. Shaw, and G. Xiao, J. Appl. Phys. 81, 3741 (1997).
9. J. Z. Sun, L. Krusin-Elbaum, P. R. Duncombe, A. Gupta, and R. B. Laibowitz, Appl. Phys. Lett. 70, 1769 (1997).
10. H. Tanaka, J. Zhang, and T. Kawai, Phys. Rev. Lett. 88, 027204 (2002).
11. G. Z. Yang, H. B. Lu, F. Chen, T. Zhao, and Z. H. Chen, J. Cryst. Growth 227-228, 929 (2001).
12. A. Tiwari, C. Jin, D. Kumar, and J. Narayan, Appl. Phys. Lett. 83, 1773 (2003).
13. H. B. Lu, S. Y. Dai, Z. H. Chen, L. Yan, Y. L. Zhou, and G. Z. Yang, Chin. Sci. Bull. 48, 1016 (2003).
14. H. B. Lu, S. Y. Dai, Z. H. Chen, L. F. Liu, H. Z. Guo, W. F. Xiang, Y. Y. Fei, M. He, Y. L. Zhou, and G. Z. Yang, Chin. Phys. Lett. 20, 137 (2003).
15. H. B. Lu, G. Z. Yang, Z. H. Chen, S. Y. Dai, Y. L. Zhou, K. J. Jin, B. L. Cheng, M. He, L. F. Liu, H. Z. Duo, Y. Y. Fei, W. F. Xiang, and L. Yan, Appl. Phys. Lett. 84, 5007 (2004).
16. G. Z. Yang, H. B. Lu, Z. H. Chen, D. F. Cui, H. S. Wang, H. Q. Yang, F. Y. Miao, Y. L. Zhou, and L. Li, Sci. China, Ser. A: Math., Phys., Astron. 28, 260 (1998).
17. B. Nadgorny, I. I. Mazin, M. Osofsky, R. J. Soulen, Jr., P. Broussard, R. M. Stroud, D. J. Singh, V. G. Harris, A. Arsenov, and Ya. Mukovskii, Phys. Rev. B 63, 184433 (2001).