Ultraviolet-enduring performance of flexible pentacene TFTs with SnO 2 encapsulation films

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 9, Issue 7, 2006, Pages

  Kim, Woo Jin ^a   Koo, Won Hoe ^a   Jo, Sung Jin ^a   Kim, Chang Su ^a   Baik, Hong Koo ^a   Hwang, D K ^a   Lee, Kimoon ^a   Kim, Jae Hoon ^a   Im, Seongil ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ENCAPSULATION; ION BEAM ASSISTED DEPOSITION; TIN COMPOUNDS; ULTRAVIOLET RADIATION; X RAY DIFFRACTION;

BUFFER LAYERS; CRYSTALLINITY; THERMALLY EVAPORATED SNO2; UV INDUCED DEGRADATION;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 33646861691     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2200069     Document Type: Article

References (18)

1. A. Tsumura, H. Koezuka, and T. Ando, Appl. Phys. Lett., 49, 1210 (1986).
2. Y. Y. Lin, D. J. Dundlach, S. F. Nelson, and T. N. Jackson, IEEE Trans. Electron Devices, 44, 1325 (1997).
3. P. F. Baude, D. A. Ender, M. A. Haase, T. W. Kelly, D. V. Muyres, and S. D. Theiss, Appl. Phys. Lett., 82, 3964 (2003).
4. C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. Huang, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Campi, B. K. Greening, J. Francl, and J. West, Appl. Phys. Lett., 80, 1088 (2002).
5. M. Kitamura, T. Imada, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett., 83, 3410 (2003).
6. P. V. Necliudov, M. S. Shur, D. J. Gundlach, and T. N. Jackson, J. Appl. Phys., 88, 6594 (2000).
7. H. Klauk, D. J. Gundlach, J. A. Nichols, and T. N. Jackson, IEEE Trans. Electron Devices, 46, 1258 (1999).
8. Y. Qiu, Y. Hu, G. Dong, L. Wang, J. Xie, and Y. Ma, Appl. Phys. Lett., 83, 1644 (2003).
9. H. Aziz, Z. Popovic, C. Tripp, N.-X. Hu, A.-M. Hor, and G. Xu, Appl. Phys. Lett., 72, 2642 (1998).
10. D. Li, E.-J. Borkent, R. Nortrup, H. Moon, H. Katz, and Z. Bao, Appl. Phys. Lett., 86, 042105 (2005).
11. A. Maliakal, K. Raghavachari, H. Katz, E. Chandross, and T. Siegrist, Chem. Mater., 16, 4980 (2005).
12. K. A. M. dos Santos, P. A. Z. Suarez, and J. C. Rubim, Polym. Degrad. Stab., 90, 34 (2005).
13. H. Heil, G. Andress, R. Schmechel, H. Von Seggern, J. Steiger, K. Bonard, and R. Sprengard, J. Appl. Phys., 97, 124501 (2005).
14. W. J. Kim, S. J. Jo, C. S. Kim, H. K. Baik, J. Lee, and S. Im, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 44, 1174 (2005).
15. W. J. Kim, S. J. Jo, C. S. Kim, H. K. Baik, J. Lee, and S. Im, Electrochem. Solid-State Lett., 8, G 341 (2005).
16. D. K. Hwang, J. H. Park, J. Lee, J.-M. Choi, J. H. Kim, E. Kim, and S. Im, Electrochem. Solid-State Lett., 8, G 140 (2005).
17. J. Lee, D. K. Hwang, J.-M. Choi, K. Lee, J. H. Kim, J. H. Park, E. Kim, and S. Im, Appl. Phys. Lett., 87, 023504 (2005).
18. L. S. Hung, C. W. Tang, M. G. Manson, P. Raychudhuri, and J. Madathil, Appl. Phys. Lett., 78, 544 (2001).