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Volumn 96, Issue 18, 2006, Pages

Time-domain Ab Initio simulation of electron and hole relaxation dynamics in a single-wall semiconducting carbon nanotube

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CARBON NANOTUBES; COMPUTER SIMULATION; ELECTRON MOBILITY; FERMI LEVEL; PHONONS; PROBABILITY DENSITY FUNCTION; SEMICONDUCTOR MATERIALS;

EID: 33646590004     PISSN: 00319007     EISSN: 10797114     Source Type: Journal    
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    • Prezhdo, O.V.1    Rossky, P.J.2


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.