Microstructural properties of solution-deposited La0.7Sr 0.3MnO3 and LaMnO3 thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 3, 2006, Pages

  Kartopu, G ^a   Es Souni, M ^a  

^a UNIVERSITY OF APPLIED SCIENCES   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CRYSTALS; LANTHANUM COMPOUNDS; MICROSTRUCTURE; OXYGEN; RAMAN SPECTROSCOPY; STOICHIOMETRY; SUBSTRATES; THERMAL EXPANSION;

ANNEALING ATMOSPHERE; ANOMALOUS CONDUCTIVITY; CRYSTALLINE QUALITY; MICROSTRUCTURAL PROPERTIES;

THIN FILMS;

EID: 33645554085     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2164534     Document Type: Article

References (28)

1. J. Z. Sun, L. Krusin-Elbaum, A. Gupta, G. Xiao, P. R. Duncombe, and S. S. P. Parkin, IBM J. Res. Dev. 42, 89 (1998).
2. N. Tsuda, K. Nasu, A. Fujimori, and K. Siratori, Electronic Conduction in Oxides (Springer, Berlin, 2000), pp. 230-242.
3. H. J. Hwang, A. Towata, and M. Awano, J. Am. Ceram. Soc. 84, 2323 (2001), and references therein.
4. J. Z. Sun et al., Appl. Phys. Lett. 69, 3266 (1996).
5. A. de Andrés, S. Taboada, J. M. Colino, R. Ramírez, M. Garcia-Hernández, and J. L. Martínez, Appl. Phys. Lett. 81, 319 (2002).
6. Y. A. Soh, G. Aeppli, N. D. Mathur, and M. G. Blamire, J. Appl. Phys. 87, 6743 (2000).
7. I. B. Shim, C. S. Kim, K. T. Park, and Y. J. Oh, J. Magn. Magn. Mater. 226-230, 1672 (2001).
8. M. Sirena, M. Granada, L. B. Steren, and J. Guimpel, Physica B 320, 172 (2002).
9. M. C. Martin, G. Shirane, Y. Endoh, K. Hirota, Y. Moritomo, and Y. Tokura, Phys. Rev. B 53, 14285 (1996).
10. T. Manabe, I. Yamaguchi, W. Kondo, S. Mizuta, and T. Kumagai, J. Mater. Res. 12, 541 (1997).
11. A. Venimadhav, K. A. Yates, and M. G. Blamire, J. Comb. Chem. 7, 85 (2005).
12. G. De Marzi, H. J. Trodahl, J. Bok, A. Cantarero, and F. Sapiña, Solid State Commun. 127, 259 (2003).
13. L. M. Carrón, A. de Andrés, M. J. Martínez-Lope, M. T. Casais, and J. A. Alonso, Phys. Rev. B 66, 174303 (2002).
14. V. B. Podobedov, A. Weber, D. B. Romero, J. P. Rice, and H. D. Drew, Solid State Commun. 105, 589 (1998).
15. V. A. Dediu, J. Lopez, F. C. Matacotta, P. Nozar, G. Ruani, R. Zamboni, and C. Taliani, Phys. Status Solidi B 215, 625 (1999).
16. M. N. Iliev, M. V. Abrashev, V. N. Popov, and V. G. Hadjiev, Phys. Rev. B 67, 212301 (2003).
17. A. de Andrés, J. L. Martínez, J. M. Alonso, E. Herrero, C. Prieto, J. A. Alonso, F. Agullo, and M. Garcia-Hernández, J. Magn. Magn. Mater. 196-197, 453 (1999).
18. M. Es-souni, E. Girdauskaite, S. Iakovlev, C. H. Solterbeck, and V. Zaporojtchenko, J. Appl. Phys. 96, 5691 (2004).
19. A. M. Haghiri-Gosnet et al., J. Appl. Phys. 88, 4257 (2000).
20. N. Izu, W. Shin, I. Matsubara, and N. Murayaba, Sens. Actuators B 94, 222 (2003).
21. G. M. Gross, F. S. Razavi, R. B. Praus, and H. U. Habermeier, J. Magn. Magn. Mater. 211, 22 (2000);
22. G. Van Tendeloo, O. I. Lebedev, and S. Amelinckx, J. Magn. Magn. Mater. 211, 73 (2000).
23. M. N. Iliev, M. V. Abrashev, H.-G. Lee, V. N. Popov, Y. Y. Sun, C. Thomsen, R. L. Meng, and C. W. Chu, Phys. Rev. B 57, 2872 (1998).
24. A. Gupta, T. R. McGuire, P. R. Duncombe, M. Rupp, J. Z. Sun, W. J. Gallagher, and G. Xiao, Appl. Phys. Lett. 67, 3494 (1995).
25. A. D. Polli, F. F. Lange, M. Ahlskog, R. Menon, and A. K. Cheetham, J. Mater. Res. 14, 1337 (1999).
26. G. Kartopu, R. E. Hummel, Y. Ekinci, and S. C. Bayliss, J. Appl. Phys. 95, 3466 (2004);
27. U. Serincan, G. Kartopu, A. Gunnæs, T. G. Finstad, R. Turan, Y. Ekinci, and S. C. Bayliss, Semicond. Sci. Technol. 19, 247 (2004).
28. I. G. Krogh Andersen, E. Krogh Andersen, P. Norby, and E. Skou, J. Solid State Chem. 113, 320 (1994).