Inorganic alignment layers using noncontact method for liquid crystal displays

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 44, Issue 11, 2005, Pages 8071-8076

  Kim, Kyung Chan ^a   Ahn, Han Jin ^a   Kim, Jong Bok ^a   Hwang, Byoung Har ^a   Baik, Hong Koo ^a   Lee, Se Jong ^b  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Kyungsung University   (South Korea)

Author keywords

a SiOx:H; Aging; Hydrogen effect; Inorganic alignment layer; Ion beam irradiation; Noncontact alignment method; Stability

Indexed keywords

AGING OF MATERIALS; GLASS; INDIUM COMPOUNDS; ION BEAMS; OPTICAL PROPERTIES; SILICON COMPOUNDS; SPUTTER DEPOSITION; STABILITY;

HYDROGEN EFFECT; INORGANIC ALIGNMENT LAYER; ION BEAM IRRADIATION; NONCONTACT ALIGNMENT METHOD;

LIQUID CRYSTAL DISPLAYS;

EID: 31544479238     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.44.8071     Document Type: Article

References (27)

1. J. L. Janning: Appl. Phys. Lett. 21 (1972) 173.
2. W. A. Grassland, J. H. Morrissy and B. Needham: J. Phys. D 9 (1976) 2001.
3. E. Guyon, P. Pieranski and M. Boix: Lett. Appl. Eng. Sci. 1 (1973) 19.
4. D. Armitage: J. Appl. Phys. 51 (1980) 2552.
5. E. P. Raynes, D. K. Rowell and I. A. Shanks: Mol. Cryst. Liq. Cryst. Lett. 34 (1976) 105.
6. F. J. Kahn: Mol. Cryst. Liq. Cryst. 38 (1977) 109.
7. M. Murata, H. Awaji, M. Isurugi, M. Uekita and Y. Tawada: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) L189.
8. M. Murata, M. Uekita, Y. Nakajima and K. Saitoh: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L679.
9. H. Ikeno, A. Oh-saki, M. Nitta, N. Ozaki, Y. Yokoyama, K. Nakaya and S. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) 475.
10. Y. Nishikata, A. Morikawa, Y. Taniguchi, K. Kaneko, M. Kakimoto and Y. Imai: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) L1163.
11. H. Mochizuki, M. Yamamoto, H. Satani, M. Murata and M. Uekita: Mol. Cryst. Liq. Cryst. 206 (1991) 93.
12. H. Ikeno, A. Oh-saki, M. Nitta, N. Ozaki, K. Nakaya and S. Kobayashi: SID'88 Dig. Tech. Pap., California, 1988 (Society for Information Display, New York, 1988) p. 45.
13. Y. Wu, Y. Demachi, O. Tsutsumi, A. Kanazawa, T. Shiono and T. Ikeda: Macromolecules 31 (1998) 349.
14. K. Usami, K. Sakamoto and S. Ushioda: J. Appl. Phys. 93 (2003) 9523.
15. K. S. Choi, H. W. Kim, Y. B. Kim and J. D. Kim: Liq. Cryst. 31 (2004) 639.
16. V. Konovalov, V. Chigrinov, H. S. Kwok, H. Takada and H. Takatsu: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 261.
17. O. Yaroshchuk, R. Kravchuk, A. Dobrovolskyy, L. Qiu and O. D. Lavrentovich: Liq. Cryst. 31 (2004) 859.
18. P. Chaudhari, J. Lacey, J. P. Doyle, E. A. Galligan, S. C. Lien, A. C. Callegari, G. Hougham, N. D. Lang, P. S. Andry, R. John, K. H. Yang, C. Cai, J. L. Speidell, S. Purushothaman, J. Ritsko, M. G. Samant, J. Stohr, Y. Nakagawa, Y. Katoh, Y. Saitoh, K. Sakai, H. Satoh, H. Satoh, S. Odahara, H. Nakano, J. Nakagaki and Y. Shiota: Nature 56 (2001) 56.
19. J. P. Doyle, P. Chaudhari, L. Lacey, E. A. Gallign, S. C. Lien, A. C. Callegari, N. D. Lang, M. Lu, Y. Nakagawa, H. Nakano, N. Okazaki, S. Odahara, Y. Katoh, Y. Saitoh, K. Sakai, H. Satoh and Y. Shiota: Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 206 (2003) 467.
20. S. J. Rho, D. K. Lee, H. K. Baik, J. Y. Hwang, Y. M. Jo and D. S. Seo: Thin Solid Films 420-421 (2002) 259.
21. D. K. Lee, S. J. Rho, H. K. Baik, J. Y. Hwang, Y. M. Jo, D. S. Seo, S. J. Lee and K. M. Song: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L1399.
22. K. M. Song, S. J. Rho, H. J. Ahn, K. C. Kim, H. K. Baik, J. Y. Hwang, Y. M. Jo, D. S. Seo and S. J. Lee: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 1577.
23. H. J. Ahn, S. J. Rho, K. C. Kim, J. B. Kim, B. H. Hwang, C. J. Park and H. K. Baik: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 4092.
24. R. Janssen, A. Janotta, D. Dimova-Malinovska and M. Stutzmann: Phys. Rev. B 60 (1999) 13561.
25. D. L. Smith: Thin-Film Deposition: Prinsiples and Practice (McGraw-Hill, Singapore, 1997) p. 371.
26. M. Lu: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 8156.
27. J. Stohr, M. G. Samant, J. Luning, A. C. Callegari, P. Chaudhari, J. P. Doyle, J. A. Lacey, S. A. Lien, S. Purushothaman and J. L. Speidell: Science 292 (2001) 2299.